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龙图腾网获悉苏州固锝电子股份有限公司申请的专利半导体整流桥获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910976B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111115592.8，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体整流桥是由何洪运;郝艳霞;刘玉龙设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体整流桥在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体整流桥，包括：包覆于环氧封装体内的第一芯片基板、第二芯片基板和一端自环氧封装体中伸出的第一引脚、第二引脚，所述第一芯片基板包括第一支撑区和垂直于第一支撑区一端的第一引线区，第二支撑区与第二引线区的连接处并位于靠近第一折弯部一侧边缘处具有一缺口，所述缺口与第一折弯部在水平面上贴近设置；所述第一支撑区的上表面间隔设置有第三芯片、第四芯片，所述第一支撑区上位于第三芯片、第四芯片之间的区域开有一通孔。本发明既可以避免芯片之间、芯片与基板之间碰撞引起的产品失效问题，又可以改善注塑成型时环氧对基板的冲击力，提高产品整体的加工良率和长期使用过程中的稳定性。

本发明授权半导体整流桥在权利要求书中公布了：1.一种半导体整流桥，包括：包覆于环氧封装体1内的第一芯片基板2、第二芯片基板3和一端自环氧封装体1中伸出的第一引脚4、第二引脚5，其特征在于：所述第一芯片基板2包括第一支撑区21和垂直于第一支撑区21一端的第一引线区22，所述第二芯片基板3包括与第一支撑区21平行间隔设置的第二支撑区31和垂直于第二支撑区31一端并位于第一支撑区21远离第一引线区22一端外侧的第二引线区32，所述第二引线区32靠近第二支撑区31的一端具有一向下的第一折弯部8，从而在第一折弯部8两侧形成上水平部91和下水平部92，且位于第一支撑区21外侧的所述下水平部92的上表面在竖直方向上低于第一支撑区21的下表面，所述第一引线区22、第二引线区32各自远离第一支撑区21、第二支撑区31的一端自环氧封装体1的同侧向外伸出； 所述第一支撑区21的上表面间隔设置有第三芯片63、第四芯片64，所述第一支撑区21上位于第三芯片63、第四芯片64之间的区域开有一通孔13，所述第二支撑区31与第二引线区32的连接处并位于靠近第一折弯部8一侧边缘处具有一缺口12，所述缺口12与第一折弯部8在水平面上贴近设置。

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