京东方科技集团股份有限公司杨维获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利显示面板、显示装置及显示面板的制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115881735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310001715.8,技术领域涉及:H10D86/60;该发明授权显示面板、显示装置及显示面板的制作方法是由杨维;袁广才;宁策;王利忠;童彬彬设计研发完成,并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板、显示装置及显示面板的制作方法在说明书摘要公布了:本申请实施例提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法,显示面板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管包括第一衬底和依次设置的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第一介质层间绝缘层;第二薄膜晶体管包括依次设于第一介质层间绝缘层一侧的第二有源层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第二介质层间绝缘层;第一有源层为多晶硅半导体,第二有源层为氧化物半导体;第一介质层间绝缘层设有延伸至所述第一栅极绝缘层内第三过孔。本申请在形成第二薄膜晶体管之前通过第三过孔进行退火工艺,避免退火工艺多氢和高温制程会影响到第二薄膜晶体管器件性能,有利于提升第二薄膜晶体管器件稳定性。
本发明授权显示面板、显示装置及显示面板的制作方法在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区和非显示区,所述显示区至少包括沿所述显示面板的长度方向间隔设置的多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管; 所述第一薄膜晶体管至少包括第一衬底和沿远离所述第一衬底的方向依次设置的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第一介质层间绝缘层; 所述第二薄膜晶体管至少包括沿远离所述第一衬底的方向依次设于所述第一介质层间绝缘层一侧的第二有源层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第二介质层间绝缘层; 所述第二介质层间绝缘层设有第一过孔和第二过孔,所述第一薄膜晶体管还包括与所述第一有源层通过所述第一过孔电连接的第一源极和第一漏极,所述第一过孔延伸至所述第一有源层远离所述第一衬底的表面或者内部,所述第一有源层的材质包括多晶硅半导体; 所述第二薄膜晶体管还包括与所述第二有源层通过所述第二过孔电连接第二源极和第二漏极;所述第二过孔延伸至所述第二有源层远离所述第一衬底的表面或者内部,所述第二有源层的材质包括氧化物半导体; 所述显示区的所述第一介质层间绝缘层设有多个第三过孔,所述第三过孔延伸至所述第一栅极绝缘层内,且所述第二栅极绝缘层和所述第二介质层间绝缘层覆盖所述第三过孔。
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