长鑫存储技术有限公司宛伟获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881723B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111130025.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其制备方法是由宛伟;张帅;修春雨设计研发完成，并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：基底，包括沟槽，沟槽内包括栅极结构，栅极结构的顶面低于沟槽的顶面；第一刻蚀阻挡层，覆盖栅极结构的顶面、沟槽的部分侧壁及基底的上表面；封闭隔离结构，位于沟槽内的第一刻蚀阻挡层之间，封闭隔离结构至少封堵沟槽的开口；空气间隙，位于第一刻蚀阻挡层与封闭隔离结构之间，空气间隙至少包括横向部，封闭隔离结构的底部位于横向部上。本发明提出的半导体结构可以提高半导体器件的性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括沟槽，所述沟槽内包括栅极结构，所述栅极结构的顶面低于所述沟槽的顶面； 第一刻蚀阻挡层，覆盖所述栅极结构的顶面、所述沟槽的部分侧壁及所述基底的上表面； 封闭隔离结构，位于所述沟槽内的所述第一刻蚀阻挡层之间，所述封闭隔离结构至少封堵所述沟槽的开口； 空气间隙，位于所述第一刻蚀阻挡层与所述封闭隔离结构之间，所述空气间隙至少包括横向部，所述封闭隔离结构的底部位于所述横向部上; 其中，所述空气间隙还包括至少一竖直部，所述竖直部位于所述封闭隔离结构的下部，所述竖直部连通所述横向部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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