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龙图腾网获悉福建华佳彩有限公司申请的专利一种高性能TFT阵列基板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863351B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211395691.0，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权一种高性能TFT阵列基板及其制作方法是由毛清平设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能TFT阵列基板及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及液晶显示屏技术领域，提供一种高性能TFT阵列基板及其制作方法，包括：玻璃衬底；第一金属层，固定设置在玻璃衬底的上表面，形成栅极；栅绝缘层，固定设置在第一金属层与玻璃衬底的上表面；左有源层，固定设置在栅绝缘层的上表面；右有源层，固定设置在栅绝缘层的上表面；桥接层，左右两端分别跟左有源层与右有源层连接；第二金属层，固定设置在栅绝缘层的上表面，还与左有源层连接，形成源极；第三金属层，固定设置在栅绝缘层的上表面，还与右有源层连接，形成漏极。本发明的优点在于：在不缩短TFT器件的源极漏极距离的前提下，缩短有源层沟道长度，本发明的TFT阵列基板具有反应快、开态电流大、阈值电压小等优势。

本发明授权一种高性能TFT阵列基板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高性能TFT阵列基板，其特征在于，包括： 玻璃衬底； 第一金属层，固定设置在所述玻璃衬底的上表面，形成栅极； 栅绝缘层，固定设置在所述第一金属层与所述玻璃衬底的上表面； 左有源层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述第一金属层的左端上方； 右有源层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述第一金属层的右端上方； 桥接层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，左右两端分别跟所述左有源层与所述右有源层连接； 第二金属层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述左有源层连接，形成源极； 第三金属层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述右有源层连接，形成漏极； 画素电极，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还与所述第三金属层连接； 导电层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述画素电极的侧方； 钝化层，固定设置在所述第二金属层、第三金属层、左有源层、右有源层、桥接层、栅绝缘层、画素电极、导电层的上表面，所述钝化层开设有通孔； 公共电极，固定设置在所述钝化层的上表面，还穿过所述通孔与所述导电层连接； 所述第一金属层、第二金属层、第三金属层、导电层都是MO单层结构、Ti单层结构、MOALMO三层结构、TiALTi三层结构、ALMO双层结构、ALTi双层结构之中的任意一个； 所述左有源层与右有源层都是IGZO材质，所述桥接层、画素电极、公共电极都是ITO材质。

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