福建省晋华集成电路有限公司冯立伟获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223437317U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422648391.X，技术领域涉及：H10B12/00；该实用新型半导体器件是由冯立伟;张议丹;吴建山设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体器件，包括衬底、位线结构、闸极结构、蚀刻停止层以及层间电介质层。衬底包括第一区和第二区。位线结构设置在衬底上并位于第一区内。闸极结构设置在衬底上并位于第二区内。蚀刻停止层设置在衬底上，覆盖位线结构的顶面和侧壁、和闸极结构的侧壁。层间电介质层覆盖在位线结构和闸极结构上，其中，层间电介质层物理性接触覆盖位线结构的顶面的蚀刻停止层、和闸极结构的顶面。如此，位线结构和闸极结构皆能具备较佳的结构可靠度，使半导体器件能达到更为优化的组件效能。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，包括第一区和第二区； 位线结构，设置在所述衬底上并位于所述第一区内； 闸极结构，设置在所述衬底上并位于所述第二区内； 蚀刻停止层，设置在所述衬底上，覆盖所述位线结构的顶面和侧壁、和所述闸极结构的侧壁；以及 层间电介质层，覆盖所述位线结构和所述闸极结构上，其中，所述层间电介质层物理性接触覆盖所述位线结构的所述顶面的所述蚀刻停止层、和所述闸极结构的顶面。
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