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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120583809B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511077416.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备方法及芯片是由王新强;陈兆营;马超凡;袁泽兴;余星城;王岩设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本发明属于微型发光二极管显示技术领域，提供了一种氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备方法及芯片，方法包括：第一分布式布拉格反射镜阵列单元制备、选区外延生长、氮化物发光二极管外延结构制备、P型透明电极层蒸镀、第二分布式布拉格反射镜叠层制备、N型电极层及金属加厚层沉积以及芯片切割；本发明公开的制备方法无需使用衬底剥离工艺，简化了氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备工艺，并可以显著缩短谐振腔的腔长，增强了氮化物微型共振腔发光二极管芯片的出光方向性和出光强度、降低了发光峰线宽，实现了高性能氮化物微型共振腔发光二极管芯片。

本发明授权一种氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括： 提供预设衬底，并在所述预设衬底上依次制备N型氮化物层、第一分布式布拉格反射镜叠层； 将所述第一分布式布拉格反射镜叠层刻蚀成周期性阵列，得到第一分布式布拉格反射镜阵列，以在所述第一分布式布拉格反射镜阵列的单元之间形成N型氮化物层的选区外延窗口； 在所述选区外延窗口进行所述N型氮化物层的选区外延，通过调节生长参数控制所述选区外延窗口的所述N型氮化物层向所述第一分布式布拉格反射镜阵列区域侧向生长，并在所述第一分布式布拉格反射镜阵列的单元上实现生长合拢，得到第一分布式布拉格反射镜阵列埋层结构； 在所述第一分布式布拉格反射镜阵列埋层结构上依次生长发光层和P型氮化物层，得到氮化物发光二极管外延结构，定义像素区，在所述像素区的表面生长阵列化的金属层； 以所述金属层为掩膜利用离子注入工艺将所述金属层的阵列单元的间隔区域的所述P型氮化物层转变为绝缘区，并使用酸性溶液去除所述金属层； 在经过离子注入工艺处理的所述氮化物发光二极管外延结构表面蒸镀P型透明电极层； 在所述像素区的所述P型透明电极层上制备第二分布式布拉格反射镜叠层，以使所述第二分布式布拉格反射镜叠层与所述第一分布式布拉格反射镜阵列埋层结构构成共振腔； 定义P型电极区，去除所述P型电极区和所述像素区以外区域的所述P型透明电极层、所述P型氮化物层、所述发光层，将露出的所述N型氮化物层确定为N型电极区，在所述N型电极区表面沉积N型电极层，在所述P型电极区表面沉积金属加厚层，得到氮化物微型共振腔发光二极管结构； 将所述氮化物微型共振腔发光二极管结构切割成芯片，得到氮化物微型共振腔发光二极管芯片。

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