杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利具有高K栅介质层和金属栅电极的金属氧化物半导体场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120583707B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511073023.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权具有高K栅介质层和金属栅电极的金属氧化物半导体场效应晶体管是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高K栅介质层和金属栅电极的金属氧化物半导体场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了具有高K栅介质层和金属栅电极的金属氧化物半导体场效应晶体管，所述的金属氧化物半导体场效应晶体管由若干个相互并列的MOS元胞组成，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及栅氧化层，所述栅极包括左栅和右栅，所述左栅和右栅的截面轮廓均呈“L”字形状；所述左栅和右栅之间设有掺杂多晶硅，所述掺杂多晶硅为P型多晶硅或N型多晶硅的一种。本发明通过L形金属栅极增大栅控面积，结合梯度掺杂多晶硅形成的垂直电场梯度，显著降低栅极电阻并优化载流子迁移率，电流驱动能力提升20%以上，同时缓解高K介质硅界面缺陷导致的可靠性问题。
本发明授权具有高K栅介质层和金属栅电极的金属氧化物半导体场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.具有高K栅介质层和金属栅电极的金属氧化物半导体场效应晶体管，所述的金属氧化物半导体场效应晶体管由若干个相互并列的MOS元胞组成，单个所述MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极2、栅极3以及栅氧化层4，所述半导体外延层具体包括有N衬底层5、N漂移层6、P+层7、P阱层8和N阱层9，其特征在于：所述栅极3包括左栅31和右栅32，所述左栅31和右栅32的截面轮廓均呈“L”字形状； 所述左栅31和右栅32之间设有掺杂多晶硅10，所述掺杂多晶硅10为P型多晶硅或N型多晶硅的一种，其中该掺杂多晶硅10的掺杂浓度从下向上逐级递增。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州谱析光晶半导体科技有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405(自主分割)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励