买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于电磁场调控的硅基低通滤波器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120582579B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511087869.9，技术领域涉及：H03H7/01；该发明授权基于电磁场调控的硅基低通滤波器及其制作方法是由单光宝;杨纯钰;郑彦文;李泽瑞;杨金烨设计研发完成，并于2025-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于电磁场调控的硅基低通滤波器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于电磁场调控的硅基低通滤波器及其制作方法，涉及滤波器技术领域，该硅基低通滤波器包括：硅衬底、第一硅通孔结构、第二硅通孔结构、第一绝缘层、第二绝缘层、第一电感、第二电感和叉指电容；其中：第一电感的两端用于连接控制信号输入输出端口，第二电感的两端用于连接输入信号输入输出端口；叉指电容的第一端通过第一硅通孔结构连接第二电感的第二端，叉指电容的第二端通过第二硅通孔结构接地；通过控制从控制信号输入端口输入的激励电压信号的幅值和相位实现滤波器带宽的连续可调谐。本发明提供的硅基低通滤波器具有带内损耗低、通带平滑、带宽连续可调谐、可调谐范围大、功耗低、小型化与低成本等优点。

本发明授权基于电磁场调控的硅基低通滤波器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电磁场调控的硅基低通滤波器，其特征在于，包括：硅衬底、第一硅通孔结构、第二硅通孔结构、第一绝缘层、第二绝缘层、第一电感、第二电感和叉指电容； 其中：所述第一硅通孔结构和所述第二硅通孔结构设置于所述硅衬底内，且所述第一硅通孔结构和所述第二硅通孔结构的顶部和底部裸露；所述第一绝缘层设置于所述硅衬底的上表面，所述第二绝缘层设置于所述硅衬底的下表面；所述第一电感和所述第二电感设置于所述第一绝缘层内刻蚀的电感图形处，所述叉指电容设置于所述第二绝缘层内刻蚀的金属层图形处； 所述第一电感的第一端用于连接控制信号输入端口，所述第一电感的第二端用于连接控制信号输出端口；所述第二电感的第一端用于连接输入信号输入端口，所述第二电感的第二端用于连接输入信号输出端口；所述叉指电容的第一端通过所述第一硅通孔结构连接所述第二电感的第二端，所述叉指电容的第二端通过所述第二硅通孔结构接地；通过控制从所述控制信号输入端口输入的激励电压信号的幅值和相位实现滤波器带宽的连续可调谐。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710100 陕西省西安市长安区西沣路兴隆段266号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。