买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277765B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310783059.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由张言旭设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构的制备方法包括：提供基底；在其厚度方向上形成由多个初始支撑层和多个初始牺牲层交替的叠层结构；形成穿过叠层结构且与基底接触的多个初始下电极；叠层结构中顶层的初始顶层支撑层位于多个初始下电极之间还位于其之上；在初始顶层支撑层上方形成掩膜层，掩膜层和初始下电极中包含相同的材料；基于掩膜层图形化初始顶层支撑层，以在初始顶层支撑层中形成多个开口，沿多个开口继续刻蚀包含初始下电极的叠层结构，去除多个初始牺牲层；剩余的初始下电极构成下电极，剩余的掩膜层形成强化层，剩余的初始支撑层构成支撑层，支撑层中的顶层支撑层位于多个下电极之间并突出于多个下电极。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底；在所述基底厚度方向上形成由多个初始支撑层和多个初始牺牲层交替的叠层结构； 形成呈阵列排布的多个初始下电极；所述多个初始下电极穿过所述叠层结构、且与所述基底接触；形成所述叠层结构，以及形成呈阵列排布的所述多个初始下电极，包括：在所述基底的厚度方向上，交叠沉积形成第一初始支撑层、第一初始牺牲层、第二初始支撑层、第二初始牺牲层、第三初始支撑层、第三初始牺牲层以及第四初始支撑层，以形成所述叠层结构；选择性刻蚀所述叠层结构，以形成贯穿多个初始支撑层和多个初始牺牲层的多个电容孔，所述多个电容孔呈阵列排布；在所述多个电容孔内分别形成所述多个初始下电极；在所述多个所述初始下电极和所述第四初始支撑层的表面上形成第五初始支撑层，其中，所述第五初始支撑层和所述第四初始支撑层共同构成初始顶层支撑层； 在所述初始顶层支撑层的上方形成掩膜层，所述掩膜层和所述初始下电极中包含相同的材料； 基于所述掩膜层图形化所述初始顶层支撑层，以在所述初始顶层支撑层中形成多个开口，并沿所述多个开口继续刻蚀包含所述初始下电极的叠层结构，以去除所述多个初始牺牲层；剩余的所述初始下电极构成下电极，剩余的所述掩膜层形成强化层，剩余的所述初始支撑层构成支撑层，所述支撑层中的顶层支撑层位于所述多个下电极之间并突出于所述多个下电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。