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龙图腾网获悉上海航天设备制造总厂有限公司申请的专利一种耐低轨道空间辐照的自适应二硫化钼基多层复合薄膜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119243098B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411235936.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种耐低轨道空间辐照的自适应二硫化钼基多层复合薄膜及制备方法是由肖金涛;鞠鹏飞;吕超君;唐丽娜;翟运飞设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐低轨道空间辐照的自适应二硫化钼基多层复合薄膜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及航空航天材料固体润滑材料领域，具体公开了一种耐低轨道空间辐照的自适应二硫化钼基多层复合薄膜及制备方法。本发明采用闭合场非平衡磁控溅射技术，通过在金属材料上沉积结合层Ti，梯度过渡层MoS2Ti，功能层MoS2Ti，过渡层MoS2‑Ti‑C，功能层MoS2‑C构成多层复合润滑薄膜。本发明所制备的润滑薄膜可在低轨道空间环境下可靠服役，可以有效降低空间机械摩擦运动部件的机械磨损，且在低轨道空间经长时间辐照下仍能保持稳定的摩擦学性能，尤其适用于新一代低轨服役的空间飞行器的轴承、齿轮等长期运动部件。

本发明授权一种耐低轨道空间辐照的自适应二硫化钼基多层复合薄膜及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种耐低轨道空间辐照的自适应二硫化钼基多层复合薄膜，薄膜结构按照距离基体由近及远顺序依次包括沉积Ti结合层、MoS2-Ti梯度过渡层、MoS2-Ti功能层、MoS2-Ti-C梯度过渡层和MoS2-C功能层； 所述自适应二硫化钼基多层复合薄膜是通过包括如下步骤的方法制备而得： S1、将金属零件进行等离子清洗、激光清洗或高温烘干清洗；采用闭合场非平衡磁控溅射技术， S2、利用钛靶在金属基体表面磁控溅射沉积Ti结合层； S3、利用钛靶和二硫化钼靶磁控溅射沉积MoS2-Ti梯度过渡层；钛靶电流在1A～5A范围内恒定，二硫化钼靶材电流从0.1A线性增加至4A，沉积时间为10～60min； S4、利用钛靶和二硫化钼靶磁控溅射沉积MoS2-Ti功能层； S5、利用钛靶、二硫化钼靶和石墨靶磁控溅射沉积MoS2-Ti-C梯度过渡层；二硫化钼靶电流在1A～4A范围内恒定，石墨靶电流从0.1A线性增加至3A，钛靶电流降低至0A，沉积时间为2～60min； S6、利用二硫化钼靶和石墨靶磁控溅射沉积MoS2-C功能层。

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