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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种多类MRAM阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119233647B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310790767.8，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种多类MRAM阵列及其制备方法是由申力杰;郑泽杰;杨丹丹设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多类MRAM阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及磁存储领域，特别是涉及一种多类MRAM阵列及其制备方法，通过设置阵列导电基底；依次在所述阵列导电基底上设置缓冲层及第一介质层，得到图形化前置物；对所述图形化前置物进行多次单类MRAM阵列图形化设置，得到功能结构前驱体；对所述功能结构前驱体上的第二介质层进行光刻与刻蚀，得到介质图形层；以所述介质图形层为掩膜，对所述目标磁存储功能层进行刻蚀，得到MTJ单元阵列；对所述MTJ单元阵列的表面一次沉积保护膜及层间介质，再进行金属互联，得到所述多类MRAM阵列。本发明将不同种类的MRAM阵列对应的MTJ单元阵列的制作，集中到一起，无需将芯片在不同设备间反复移动，大大简化了工艺流程，提升生产效率。

本发明授权一种多类MRAM阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多类MRAM阵列的制备方法，其特征在于，包括： 设置阵列导电基底； 依次在所述阵列导电基底上设置缓冲层及第一介质层，得到图形化前置物； 对所述图形化前置物进行多次单类MRAM阵列图形化设置，得到功能结构前驱体；其中，单次所述单类MRAM阵列图形化设置包括：对目标区域进行光刻与刻蚀，去除所述目标区域的第一介质层，再依次整面沉积目标磁存储功能层及第二介质层，再对所述图形化前置物进行表面平坦化，至所述第一介质层或前次单类MRAM阵列图形化设置中的第二介质层暴露； 对所述功能结构前驱体上的第二介质层进行光刻与刻蚀，得到介质图形层； 以所述介质图形层为掩膜，对所述目标磁存储功能层进行刻蚀，得到MTJ单元阵列； 对所述MTJ单元阵列的表面一次沉积保护膜及层间介质，再进行金属互联，得到所述多类MRAM阵列； 所述缓冲层为包括多个子层的复合缓冲层，与所述阵列导电基底接触的子层为应力过渡层，与所述第一介质层接触的子层为刻蚀选择层。

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