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上海芯炽科技集团有限公司吴光林获国家专利权

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龙图腾网获悉上海芯炽科技集团有限公司申请的专利一种高可靠性高稳定性高压基准源获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119225466B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411427676.9,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权一种高可靠性高稳定性高压基准源是由吴光林;袁文师设计研发完成,并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高可靠性高稳定性高压基准源在说明书摘要公布了:本发明公开一种高可靠性高稳定性高压基准源,属于电源电路领域。本发明中Is1是通过三极管Q3的VBE与电阻R3构成,流过高压NMOS管hnmos1的电流是VBE3R3,这个电流与高压电源VDD无关,随着工艺和温度变化比较小,通过复制Is1电流的Is2作为启动电流,可以在电源无论如何变化下都可以稳定可靠的启动;通过高压管hnmos2hnmos3,使得三极管Q1和Q2可以不需要高压三极管使得很多工艺都可以满足产生IPTAT电流;同理,通过三极管Q1和低压管pmos9pmos10nmos1nmos2及高压管hnmos4和电阻R5构成Ictat电流,实现方便,不需要特殊的器件。该基准源适用电压范围广、启动稳定可靠、不要特殊器件、满足任意温度特性的电流源。

本发明授权一种高可靠性高稳定性高压基准源在权利要求书中公布了:1.一种高可靠性高稳定性高压基准源,其特征在于,包括高压PMOS管hpmos1~hpmos8、高压NMOS管hnmos1~hnmos4、PMOS管pmos1~pmos10、NMOS管nmos1~nmos2、三极管Q1~Q3、电阻R1~R6; PMOS管pmos1~pmos8的源端均接电源电压Vdd,PMOS管pmos1~pmos8的漏端分别连接高压PMOS管hpmos1~hpmos8的源端;PMOS管pmos1的栅端同时接自身漏端和PMOS管pmos2的栅端,PMOS管pmos7的栅端同时接自身漏端和PMOS管pmos8的栅端;PMOS管pmos3~pmos6的栅端互连; 高压PMOS管hpmos1的漏端接高压NMOS管hnmos1的漏端,高压PMOS管hpmos2的漏端和高压PMOS管hpmos3的漏端均接高压NMOS管hnmos2的漏端,高压PMOS管hpmos4的漏端通过电阻R6接高压NMOS管hnmos3的漏端;高压PMOS管hpmos1的栅端同时接自身漏端和高压PMOS管hpmos2的栅端,高压PMOS管hpmos3~hpmos6的栅端互连,高压PMOS管hpmos4的漏端同时接PMOS管pmos3的栅端和PMOS管pmos4的栅端,高压NMOS管hnmos3的漏端同时接高压PMOS管hpmos3的栅端和高压PMOS管hpmos4的栅端,高压PMOS管hpmos5的漏端同时接PMOS管pmos9的源端和PMOS管pmos10的源端;高压PMOS管hpmos6的漏端电流和高压PMOS管hpmos8的漏端电流相加;高压PMOS管hpmos7的漏端接高压NMOS管hnmos4的漏端; 电阻R1的第一端接电源电压Vdd,电阻R1的第二端接电阻R2的第一端;电阻R2的第二端同时接高压NMOS管hnmos1的栅端和三极管Q3的集电极;三极管Q3的基极同时接高压NMOS管hnmos1的源端和电阻R3的第一端,三极管Q3的发射极和电阻R3的第二端同时接地Vss;高压NMOS管hnmos2的漏端接自身栅端和高压NMOS管hnmos3的栅端,高压NMOS管hnmos2的源端同时接三极管Q1的集电极和PMOS管pmos9的栅端,三极管Q1的基极同时接自身集电极和三极管Q2的基极;高压NMOS管hnmos3的源端接三极管Q2的集电极,三极管Q2的发射极接电阻R4的第一端,三极管Q1的发射极和电阻R4的第二端均接地Vss;PMOS管pmos9的漏端接NMOS管nmos1的漏端,NMOS管nmos1的漏端接自身栅端和NMOS管nmos2的栅端;PMOS管pmos10的栅端接电阻R5的第一端,PMOS管pmos10的漏端接NMOS管nmos2的漏端,电阻R5的第二端、NMOS管nmos1的源端和NMOS管nmos2的源端均接地Vss;高压NMOS管hnmos4的栅端接PMOS管pmos10的漏端,高压NMOS管hnmos4的源端接电阻R5的第一端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海芯炽科技集团有限公司,其通讯地址为:200000 上海市嘉定区泰业街150弄7号3层J;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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