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龙图腾网获悉海拓创新技术(杭州)有限公司申请的专利一种静电卡盘的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153287B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411651508.8，技术领域涉及：H01J9/00；该发明授权一种静电卡盘的制造方法是由刘斌设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种静电卡盘的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种静电卡盘的制造方法，静电卡盘包括静电卡盘主体、电介质、电极组、金属基座；其制造步骤如下：步骤一：金属基座实现内部非活性气体通道和冷却液道的完成；步骤二：静电卡盘主体上，气体通道上下贯通三个气体通道孔，并与晶片和边缘气体密封环相通；步骤三：静电卡盘主体上，冷却通道横向贯通冷却液输入口和冷却液输出口；通过外部系统控制冷却液的温度和流速以达到平衡静电卡盘主体温度的作用；步骤四：晶片搭载在电介质后，正负电极组施加直接高压晶片被吸附在置于电介质的边缘气体密封环和微凸台之上。本发明具有实现高洁净静电卡盘外部边缘气体密封环和晶片组成的非活性气体气氛空间。

本发明授权一种静电卡盘的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种静电卡盘的制造方法，其特征在于：静电卡盘包括电介质、电极组和金属基座；其制造步骤如下： 步骤一：金属基座由若干件铝合金经过多道机械加工，再经钎焊工艺、搅拌摩擦焊、离子束焊接的一种或多种工艺的辅助，以实现金属基座内部非活性气体通道和冷却液道的完成； 步骤二：静电卡盘上，气体通道上下贯通三个气体通道孔，并与晶片和边缘气体密封环相通；装有非活性气源通过金属基座设有的气体通道将非活性气体导入晶片和边缘气体密封环形成的非活性气体气氛区间，控制非活性气体的流量和流速以达到平衡晶片温度的作用； 步骤三：静电卡盘上，冷却通道横向贯通冷却液输入口和冷却液输出口；控制冷却液的温度和流速以达到平衡静电卡盘温度的作用； 步骤四：晶片搭载在电介质后，正负电极组施加直接高压晶片被吸附在置于电介质的边缘气体密封环和微凸台之上；此时非活性气体气氛空间为密封状态，外部气源通过非活性气体通道输入非活性气体，并由上下贯通的三个气体通道孔向非活性气体气氛空间填充非活性气体，可加强对晶片的温度调控； 其中电介质的制造步骤如下： S1，用表面接技改性处理方式制备KH550@氧化铝粉末，接着，将KH550@氧化铝粉末添加至聚酰亚胺溶液中，并添加能提高成形性的有机粘结剂或烧结助剂，使用真空热成型机将原液Y流延或压延烧结成薄片材F; S2，薄片材F在完成等离子表面处理后，将聚酰亚胺溶液置入真空模具中，并再次注入原液Y，进行二次真空热成型机流延或压延烧结制备薄片材F1; S3，通过研磨加工，将薄片材F1表面中与晶片W的接触一面进行平坦度和镜面抛光得到所需的结构； S4，环形边缘气体密封环和若干置于边缘气体密封环内部的微凸台的制备； S5，通过丝印在薄片材F1上制造电极图案，使用具有图案结构的丝印模板，将原液Y印刷至表面处理过的薄片材F1之上，进行真空热烧结制备成具有环形边缘气体密封环图案结构和微凸台图案结构的薄片材F2； 通过研磨加工，将薄片材F2表面中与晶片W的接触一面进行平坦度和镜面抛光得到理想的结构；环形边缘气体密封环和微凸台的表面粗糙度Ra≤0.1μm及平坦度≤5μm；电介质包括与晶片背面圆周边缘面接触的环形边缘气体密封环和若干置于边缘气体密封环内部的微凸台，形成了一个相对密闭非活性气体气氛空间；边缘气体密封环略高于微凸台同时与晶片接触，共同支撑晶片，微凸台的存在，最大限度增加了非活性气体气氛空间的面积，即增加了非活性气体与晶片的接触面积； 在电介质制备过程中添加具有相近热膨胀系数的改性纳米微粉； 改性纳米微粉包含氧化铝改性纳米微粉以及任选地氮化铝改性纳米微粉和类金刚石改性纳米微粉中的一种或多种，其中，改性纳米微粉的氧化铝的含量不高于5%，且制备得到的电介质的导热系数不低于0.4Wm·K，表面电阻率不得低于1013ohmsq。

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