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龙图腾网获悉宁波阳光和谱光电科技有限公司申请的专利一种Ge-As-Se-CsCl玻璃陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119118518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411150620.3，技术领域涉及：C03C10/16；该发明授权一种Ge-As-Se-CsCl玻璃陶瓷及其制备方法是由蔡子明;沈祥;娄绍慧;吕社钦;陈益敏设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Ge-As-Se-CsCl玻璃陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种Ge‑As‑Se‑CsCl玻璃陶瓷及其制备方法，包括基体和均匀分散在基体中的CsCl晶体，基体为Ge‑As‑Se硫系玻璃，且CsCl晶体以纳米形式均匀的分散在基体中，Ge‑As‑Se‑CsCl玻璃陶瓷的摩尔组成按照化学式表示为：1‑yGe0.2AsxSe0.8‑x‑yCsCl，x的范围取自0.1‑0.7，y的范围取自0.05‑0.2，与现有技术相比，本发明公开的两段式热处理析晶制备的Ge‑As‑Se‑CsCl玻璃陶瓷，一方面保证Ge‑As‑Se‑CsCl玻璃陶瓷具有良好的红外透过性，还可以大幅提升Ge‑As‑Se‑CsCl玻璃陶瓷的硬度，拓宽硫系玻璃陶瓷的应用范围。

本发明授权一种Ge-As-Se-CsCl玻璃陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Ge-As-Se-CsCl玻璃陶瓷的制备方法，其特征在于， 所述制备方法具体包括如下步骤： S1、依照化学式1-yGe0.2AsxSe0.8--yCsCl，分别称取Ge单质、As单质、Se单质、CsCl化合物作为原料,将称取的各原料混合均匀后置于石英安瓿中，将石英安瓿抽真空至真空度小于10-3Pa，再用乙炔-氧气焰熔封石英安瓿； S2、将步骤S1的石英安瓿放入摇摆加热炉中进行玻璃熔融处理，然后取出石英安瓿并依次进行淬冷处理和退火处理后，随炉冷却至50℃以下出炉即在石英安瓿内得到基础玻璃； S3、将步骤S2的石英安瓿置于晶化炉中，对基础玻璃进行两段式析晶热处理，然后随炉冷却至50℃以下出炉，去除石英安瓿，即得到Ge-As-Se-CsCl玻璃陶瓷； 所述步骤S3中，两段式析晶热处理的具体步骤为：升温至第一段析晶热处理温度进行析晶热处理5-10min，在基础玻璃内部析出CsCl纳米晶，迅速降低到第二段析晶热处理温度进行析晶热处理10-100h； 且所述的第一段析晶热处理温度比基础玻璃的玻璃化转变温度高80-100℃，第二段析晶热处理温度比基础玻璃的玻璃化转变温度高10-20℃； 所述Ge-As-Se-CsCl玻璃陶瓷包括基体和均匀分散在所述基体中的CsCl晶体，所述基体为Ge-As-Se硫系玻璃，且所述CsCl晶体以纳米形式均匀的分散在基体中，所述Ge-As-Se-CsCl玻璃陶瓷的摩尔组成按照化学式表示为：1-yGe0.2AsSe0.8--yCsCl，其中x的范围取自0.1-0.7，y的范围取自0.05-0.2。

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