中微半导体设备(上海)股份有限公司黄秋平获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利多腔等离子体处理装置及减少腔室间发射光谱干扰的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310674246.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权多腔等离子体处理装置及减少腔室间发射光谱干扰的方法是由黄秋平;刘身健;石刚设计研发完成，并于2023-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本多腔等离子体处理装置及减少腔室间发射光谱干扰的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多腔等离子体处理装置及减少腔室间发射光谱干扰的方法。其中，该装置包括：多个处理腔，每一所述处理腔包括设置于腔内的用于承载晶圆的基座、用于引入反应气体的气体注入装置以及用于判断所述处理腔内工艺终点的光谱检测装置，并且多个所述处理腔与多个第二管路对应连通；一压力检测装置，其通过第一管路与多个所述第二管路连通以检测多个所述处理腔内的压力，且每一第二管路上均设置有阀门；控制器，用于接收所述光谱检测装置的工艺终点信号，并根据所述工艺终点信号控制所述光谱检测装置所在腔室对应的阀门断开。本发明能够改善多腔之间的气压串扰，减少发射光谱强度的偏移。
本发明授权多腔等离子体处理装置及减少腔室间发射光谱干扰的方法在权利要求书中公布了：1.一种多腔等离子体处理装置，其特征在于，其包括： 多个处理腔，每一所述处理腔包括设置于腔内的用于承载晶圆的基座、用于引入反应气体的气体注入装置以及用于判断所述处理腔内工艺终点的光谱检测装置，其中，所述气体注入装置与腔外的供气装置连接；并且多个所述处理腔与多个第二管路对应连通； 一压力检测装置，其通过第一管路与多个所述第二管路连通以检测多个所述处理腔内的压力，且每一第二管路上均设置有阀门； 控制器，用于接收所述光谱检测装置的工艺终点信号，并根据所述工艺终点信号控制所述光谱检测装置所在腔室对应的阀门断开。
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