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龙图腾网获悉北京航空航天大学;合肥国家实验室申请的专利一种消除磁屏蔽耦合效应的高均匀鞍形匀场线圈设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119089593B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410903228.5，技术领域涉及：G06F30/17；该发明授权一种消除磁屏蔽耦合效应的高均匀鞍形匀场线圈设计方法是由陆吉玺;高笑言;王淑莹;徐诺舟;戚一搏;叶西慧设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种消除磁屏蔽耦合效应的高均匀鞍形匀场线圈设计方法在说明书摘要公布了：一种消除磁屏蔽耦合效应的高均匀鞍形匀场线圈设计方法，包括将鞍形线圈组在铁磁边界下产生的总磁感应强度表达式分解成自由边界下线圈组产生的磁感应强度和耦合效应产生的磁感应强度两部分，得到线圈因耦合效应额外产生的磁感应强度的解析表达式；通过多目标优化算法将线圈因耦合效应产生的磁场与铁磁边界下线圈在中心产生磁场的比值表达式和铁磁边界下线圈产生磁场与线圈在中心产生磁场的比值表达式作为两个目标函数，将四对鞍形线圈的直线段高度、圆弧段展角以及线圈匝数、电流作为待优化参数进行设计，得到一组最优鞍形线圈组参数，从源头上最大程度消除高磁导率材料对线圈产生磁场的耦合效应对线圈产生磁场的均匀性的不利影响。

本发明授权一种消除磁屏蔽耦合效应的高均匀鞍形匀场线圈设计方法在权利要求书中公布了：1.一种消除磁屏蔽耦合效应的高均匀鞍形匀场线圈设计方法，其特征在于，包括将鞍形线圈组在铁磁边界下产生的总磁感应强度表达式分解成自由边界下线圈组产生的磁感应强度和耦合效应产生的磁感应强度两部分，得到线圈因耦合效应额外产生的磁感应强度的解析表达式；通过多目标优化算法将线圈因耦合效应产生的磁场与铁磁边界下线圈在中心产生磁场的比值表达式和铁磁边界下线圈产生磁场与线圈在中心产生磁场的比值表达式作为两个目标函数，将四对鞍形线圈的直线段高度、圆弧段展角以及线圈匝数、电流作为待优化参数进行设计，得到一组最优鞍形线圈组参数，从源头上最大程度消除高磁导率材料对线圈产生磁场的耦合效应对线圈产生磁场的均匀性的不利影响； 包括以下步骤： 步骤1，确定鞍形匀场线圈组的结构：所述鞍形匀场线圈组位于圆柱形磁屏蔽桶的几何中心，所述鞍形匀场线圈组由两对主线圈与两对屏蔽线圈构成，所述两对主线圈位于所述两对屏蔽线圈的外侧，所述磁屏蔽桶的高度为2Hm，内半径为Rb，外半径为Rc，以所述几何中心为原点建立xyz三维直角坐标系，x轴与各线圈之间几何中心连线平行，y轴与各对线圈的对合空隙平行，z轴与磁屏蔽桶轴向平行，所述鞍形匀场线圈组的结构参数包括；第一对主线圈直线段高度2lm1，第二对主线圈直线段高度2lm2，第一对屏蔽线圈直线段高度2ls1，第二对屏蔽线圈直线段高度2ls2，第一对主线圈圆弧段展角第二对主线圈圆弧段展角第一对屏蔽线圈圆弧段展角第二对屏蔽线圈圆弧段展角主线圈半径R，屏蔽线圈半径R，主线圈匝数n，屏蔽线圈匝数n，主线圈回路电流I，屏蔽线圈回路电流I，中心正方体形目标区域边长2L 步骤2，通过鞍形线圈磁矢势的多级展开式，令线圈组产生的总磁矩m＝0，反解出屏蔽线圈半径R 步骤3，拆解鞍形线圈在磁屏蔽桶中产生磁场表达式，得到耦合效应使线圈额外产生的磁感应强度Box 步骤4，在目标区域中选取目标点，建立第一目标函数f以使线圈组的耦合率最小，建立第二目标函数f以使线圈组的相对磁场偏差最小； 步骤5，基于Matlab平台使用MOPSO算法优化鞍形匀场线圈组结构参数，获得最优鞍形匀场线圈组的结构参数集合。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京航空航天大学;合肥国家实验室，其通讯地址为：100191 北京市海淀区学院路37号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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