长鑫存储技术有限公司侯闯明获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119053154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310595074.3，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器是由侯闯明设计研发完成，并于2023-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器，其中，反熔丝结构包括：衬底，包括沿第一方向延伸的有源区以及形成于有源区中、且沿第一方向依次间隔排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区和第五掺杂区；第一栅极结构，位于第一掺杂区与第二掺杂区之间的有源区的表面；第二栅极结构，位于第二掺杂区与第三掺杂区之间的有源区的表面；第三栅极结构，位于第三掺杂区与第四掺杂区之间的有源区的表面；第四栅极结构，位于第四掺杂区与第五掺杂区之间的有源区的表面；第一连接线，位于第一栅极结构上，连接第一掺杂区与第四掺杂区；第二连接线，位于第四栅极结构上，连接第二掺杂区与第五掺杂区。
本发明授权反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括： 衬底，包括沿第一方向延伸的有源区以及形成于所述有源区中、且沿所述第一方向依次间隔排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区和第五掺杂区； 第一栅极结构，位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的所述有源区的表面； 第二栅极结构，位于所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间的所述有源区的表面； 第三栅极结构，位于所述第三掺杂区与所述第四掺杂区之间的所述有源区的表面； 第四栅极结构，位于所述第四掺杂区与所述第五掺杂区之间的所述有源区的表面； 第一连接线，位于所述第一栅极结构上，连接所述第一掺杂区与所述第四掺杂区； 第二连接线，位于所述第四栅极结构上，连接所述第二掺杂区与所述第五掺杂区；所述第一方向为所述衬底所在平面内任意一个方向。
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