长鑫存储技术有限公司李东琦获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118900557B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310466013.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由李东琦设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决传输性能较差的技术问题。该半导体结构的制作方法包括：在基底上形成多个阵列排布且间隔设置的掩膜图形；在掩膜图形的侧壁形成第一导电层，邻行相邻的两个掩膜图形侧壁的第一导电层均相接触，同行相邻的两个掩膜图形和隔行相对的两个掩膜图形侧壁的第一导电层围合成填充孔；在填充孔内形成第二导电层，第二导电层的掺杂浓度大于第一导电层的掺杂浓度。第一导电层掺杂浓度较低，可以较好的填充满邻行相邻的两个掩膜图形侧壁之间，并减少该处第一导电层内的空洞；且第二导电层的掺杂浓度较高，以降低第二导电层与有源区之间的接触电阻，从而保证半导体结构的传输性能。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底具有多个间隔设置的有源区； 在所述基底上形成多个阵列排布且间隔设置的掩膜图形，所述掩膜图形覆盖所述有源区的端部，且沿第一方向相邻的两个所述有源区的端部共用一个所述掩膜图形，任意相邻的三行所述掩膜图形中，同行所述掩膜图形沿第二方向排布，邻行所述掩膜图形错位设置，隔行所述掩膜图形相对设置，同行相邻的两个所述掩膜图形之间的第一距离以及隔行相对的两个所述掩膜图形之间的第二距离，均大于邻行相邻的两个所述掩膜图形之间的第三距离，所述第二方向与所述第一方向交叉； 在所述掩膜图形的侧壁形成第一导电层，邻行相邻的两个所述掩膜图形侧壁的所述第一导电层均相接触，且同行相邻的两个所述掩膜图形和隔行相对的两个所述掩膜图形侧壁的所述第一导电层围合成填充孔； 在所述填充孔内形成第二导电层，所述第二导电层的掺杂浓度大于所述第一导电层的掺杂浓度。
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