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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于自适应偏置和共源共栅补偿的两级级联高增益放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118868801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410835429.6，技术领域涉及：H03F1/02；该发明授权基于自适应偏置和共源共栅补偿的两级级联高增益放大器是由刘俊琦;陆召南;赵梦恋;宋爽;谭志超设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于自适应偏置和共源共栅补偿的两级级联高增益放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于自适应偏置和共源共栅补偿的两级级联高增益放大器，其采用了两级级联放大器的基本结构，第一级采用自适应偏置的共源共栅浮动反相放大器结构，通过交叉耦合偏置显著提升了增益，同时获得较大的电流以提高带宽和摆率，并且省掉了外部偏置电路和额外的共模反馈电路；第二级采用电流源偏置的反相放大器结构，通过电流复用实现了较高的电流效率，并获得较大的输出摆幅。此外，本发明利用共源共栅补偿电路省掉了米勒补偿需要的调零电阻，整体具有高增益、高速度的优点。

本发明授权基于自适应偏置和共源共栅补偿的两级级联高增益放大器在权利要求书中公布了：1.一种基于自适应偏置和共源共栅补偿的两级级联高增益放大器，其特征在于：由两级放大器级联构成，其中第一级放大器通过交叉耦合的形式构成自适应偏置以提高系统增益，第二级放大器通过电流复用以实现较高的电流效率，进一步提升系统增益和输出摆幅； 所述第一级放大器采用自适应偏置的共源共栅浮动反相放大器电路，第二级放大器采用电流源偏置的反相放大器电路； 所述自适应偏置的共源共栅浮动反相放大器电路包括四个PMOS管M1、M2、M5、M6、四个NMOS管M3、M4、M7、M8、电容CRES以及六个开关S1～S6，其中S1的一端接电源电压VDD，S1的另一端与S3的一端以及CRES的一端相连，S3的另一端与M1的源极以及M2的源极相连，M1的栅极与M3的栅极相连并作为第一级放大器的反相电压输入端，M2的栅极与M4的栅极相连并作为第一级放大器的正相电压输入端，M1的漏极与M5的源极以及M8的栅极相连，M2的漏极与M6的源极以及M7的栅极相连，M5的栅极与M8的源极以及M4的漏极相连，M6的栅极与M7的源极以及M3的漏极相连，M5的漏极与M7的漏极以及S5的一端相连并作为第一级放大器的正相电压输出端，M6的漏极与M8的漏极以及S6的一端相连并作为第一级放大器的反相电压输出端，S5的另一端与S6的另一端相连并外接共模电压VCM，M3的源极与M4的源极以及S4的一端相连，S4的另一端与CRES的另一端以及S2的一端相连，S2的另一端接地；开关S1、S2、S5、S6的控制极接时钟信号φ1，开关S3、S4的控制极接时钟信号φ2。

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