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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利涂层形成方法、半导体零部件及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866638B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310484898.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权涂层形成方法、半导体零部件及等离子体处理装置是由朱生华;陈星建;孙祥;丛海设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本涂层形成方法、半导体零部件及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体零部件的涂层形成方法、形成的半导体零部件及等离子体处理装置。该方法包括：提供一离子镀装置，包含相互连通的蒸发腔和偏压腔；提供具有孔槽结构的半导体零部件本体，置于偏压腔内；蒸发金属靶材形成金属蒸汽，与惰性气体正离子碰撞带电，形成带电金属离子，输送至偏压腔内；向偏压腔内通入工艺气体，激活形成工艺等离子体，开启所述偏置电源对半导体零部件本体施加偏压时，在孔槽结构内形成具有第一孔隙率的第一涂层；关闭偏置电源时，在孔槽结构内形成具有第二孔隙率的第二涂层，交替设置的第一涂层和第二涂层构成复合涂层，其最外层为第一涂层。本发明原位进行工艺切换，方法简便，制备的复合涂层兼具多种性能，能避免颗粒污染。

本发明授权涂层形成方法、半导体零部件及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体零部件的涂层形成方法，其特征在于，包括： 提供一离子镀装置，所述离子镀装置包含相互连通的蒸发腔和偏压腔，所述蒸发腔内设置有金属靶材，所述偏压腔内设置有一偏置电源； 提供一半导体零部件本体，所述半导体零部件本体内具有孔槽结构，将所述半导体零部件本体置于所述偏压腔内； 蒸发所述金属靶材形成金属蒸汽，所述金属蒸汽与惰性气体正离子碰撞带电，形成带电金属离子，并将所述带电金属离子输送至所述偏压腔内； 向所述偏压腔内通入工艺气体，所述工艺气体被激活为工艺等离子体，开启所述偏置电源对所述半导体零部件本体施加偏压时，使所述带电金属离子和工艺等离子体在所述孔槽结构内形成第一涂层，所述第一涂层具有第一孔隙率；关闭所述偏置电源未对所述半导体零部件本体施加偏压时，所述带电金属离子和工艺等离子体在所述孔槽结构内形成第二涂层，所述第二涂层具有第二孔隙率，所述第二孔隙率大于第一孔隙率，交替设置的第一涂层和第二涂层构成复合涂层，所述复合涂层的最外层为第一涂层。

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