长鑫存储技术有限公司王海林获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118829233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310372680.9，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权半导体封装结构是由王海林设计研发完成，并于2023-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括：基板，包括位于基板上的基板焊盘和虚拟板焊盘；芯片堆叠体，包括自下而上依次层叠在基板上的芯片，芯片具有传输焊盘和虚拟焊盘，其中，传输焊盘与基板焊盘电连接；热传导线，热传导线的一端与所述虚拟焊盘连接，热传导线的另一端与虚拟板焊盘连接，用于将热量从芯片传导至基板。通过热传导线可以将芯片工作过程中产生的热量传导至基板上，进而快速散发到外部环境中，从而达到降低芯片温度，提到芯片性能的目的。
本发明授权半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于， 包括： 基板，包括位于基板上的基板焊盘和虚拟板焊盘； 芯片堆叠体，所述芯片堆叠体包括自下而上依次层叠在所述基板上的芯片，所述芯片具有传输焊盘和虚拟焊盘，其中，所述传输焊盘与所述基板焊盘电连接； 热传导线，所述热传导线的一端与所述虚拟焊盘连接，所述热传导线的另一端与所述虚拟板焊盘连接，用于将热量从所述芯片传导至所述基板； 其中，所述虚拟焊盘的数量大于1，多个所述虚拟焊盘自所述芯片的中间区向外围区间隔排布；自所述芯片的中间区至所述外围区，所述虚拟焊盘的密度依次降低。
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