中国人民解放军国防科技大学余同普获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利表面等离子体全息光栅产生装置、方法及超强涡旋激光产生方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118818648B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411222547.6，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权表面等离子体全息光栅产生装置、方法及超强涡旋激光产生方法是由余同普;张昊;张凌宇;黄宏韬;王景怡设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本表面等离子体全息光栅产生装置、方法及超强涡旋激光产生方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种表面等离子体全息光栅产生装置、方法及超强涡旋激光产生方法，包括利用一束涡旋激光和一束高斯激光同时照射到等离子体靶的表面并且干涉，形成表面等离子体全息光栅。进一步地，读取光照射表面等离子体全息光栅，当读取光被表面等离子体全息光栅衍射时，读取光也复制了涡旋激光的相位，并且转化为超强涡旋激光，其中读取光为超高强度高斯激光。本发明为产生超强紧聚焦涡旋激光提供了一种可行的途径。
本发明授权表面等离子体全息光栅产生装置、方法及超强涡旋激光产生方法在权利要求书中公布了：1.表面等离子体全息光栅产生装置，其特征在于，包括物光产生单元、参考光产生单元、同步控制单元以及等离子体靶； 所述物光产生单元，用于产生物光，所述物光为涡旋激光； 所述参考光产生单元，用于产生参考光，所述参考光为高斯激光； 同步控制单元，用于控制物光产生单元、参考光产生单元，使物光产生单元产生的涡旋激光、参考光产生单元产生的高斯激光同时照射到等离子体靶的表面并且干涉，在干涉光的作用下，靶表面的电子将沿其有质动力的方向运动，形成表面等离子体全息光栅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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