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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种一维异质纳米管场效应晶体管的制备方法及其产品和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118795010B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410799822.4，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种一维异质纳米管场效应晶体管的制备方法及其产品和应用是由龙胡;史铁林;侯琳琳;王智智;张焕设计研发完成，并于2024-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种一维异质纳米管场效应晶体管的制备方法及其产品和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种一维异质纳米管场效应晶体管的制备方法及其产品和应用，属于半导体材料技术领域，包括以下步骤：将异质纳米管旋涂于衬底上；在所述异质纳米管两端沉积电极；在沉积电极的异质纳米管上继续沉积金属或金属氧化物颗粒，形成一维异质纳米管场效应晶体管。本发明利用异质纳米管弹道运输特性、限域效应带来的优异的电学性能实现局部场效应的放大。同时，通过调控敏感栅极的成分、形貌、尺寸实现晶体管对气体、病毒、细菌等目标物的高选择性和高灵敏度检测。

本发明授权一种一维异质纳米管场效应晶体管的制备方法及其产品和应用在权利要求书中公布了：1.一种一维异质纳米管场效应晶体管作为敏感功能材料的应用，其特征在于，所述应用是将一维异质纳米管场效应晶体管用于检测气体、病毒或细菌；所述一维异质纳米管场效应晶体管包括衬底、敏感栅极、纳米线沟道、栅介质和源漏电极；将异质纳米管置于衬底上，利用光刻和电子束蒸发工艺在异质纳米管的两端制备源极和漏极，纳米管及其内部的填充材料为栅介质层与沟道层；采用热蒸发或电子束蒸发在异质纳米管上面溅射不连续的金属金属氧化物颗粒，实现敏感栅极的简易集成；以异质纳米管作为栅敏晶体管的主体结构，金属金属氧化物颗粒作为栅敏层，其吸附气体后栅极功函数的变化作为栅极电压，实现沟道电流的变化； 所述一维异质纳米管场效应晶体管的制备方法具体包括以下步骤： 将异质纳米管旋涂于衬底上； 在所述异质纳米管两端沉积电极； 在沉积电极的异质纳米管上继续沉积金属或金属氧化物颗粒，形成一维异质纳米管场效应晶体管； 所述衬底为刚性衬底或柔性衬底； 所述刚性衬底为硅基底或石英片；所述柔性衬底为聚二甲基硅氧烷； 所述异质纳米管由氮化硼纳米管、碳纳米管和三氧化二铝中的至少一种与填充在内部的半导体材料组成。

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