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龙图腾网获悉华中科技大学;国网福建省电力有限公司电力科学研究院申请的专利一种SiC MOSFET的串扰抑制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118748503B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410757879.8，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权一种SiC MOSFET的串扰抑制电路是由彭晗;辛晴;李超;陈伟铭设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC MOSFET的串扰抑制电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiCMOSFET的串扰抑制电路，属于电力电子技术领域，包括：控制电路、阻抗网络和内部栅源电压提取电路。内部栅源电压提取电路能够得到SiCMOSFET栅源电容两端的电压vgsint，可以正确反映实际串扰波形；串扰抑制的控制电路根据vgsint与参考电压的比较结果来主动触发米勒电容Cgd和共源极电感Ls的串扰抑制方法；串扰抑制的阻抗网络采用电感构建高阻回路及钳位构建低阻回路。相比于现有串扰抑制方法，本发明能够快速有效的抑制米勒电容Cgd和共源极电感Ls作用下的串扰。

本发明授权一种SiC MOSFET的串扰抑制电路在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET的串扰抑制电路，其特征在于，包括：控制电路、阻抗网络和内部栅源电压提取电路； 所述阻抗网络包括开关管S1、S2、S3、S4以及电感Lc，S1的漏极和S3的漏极连接正电压Vcc，S1的源极连接S2的漏极，S3的源极连接S4的漏极，S2的源极和S4的源极连接负电压Vee，Lc连接在S1的源极和S3的源极之间，S3的源极连接被串扰的SiCMOSFET的栅极； 所述内部栅源电压提取电路用于提取被串扰的SiCMOSFET内部栅源极电容两端的电压vgsint； 在开通串扰阶段：若被串扰的SiCMOSFET的vgsint低于开通参考电压，所述控制电路用于开通S1，关断S2、S3和S4，以通过正电压Vcc以及电感Lc提供的高阻网络来抑制共源极电感串扰，否则，所述控制电路用于开通S4，关断S1、S2和S3，以构建低阻网络来抑制米勒电容串扰； 在关断串扰阶段：若被串扰的SiCMOSFET的vgsint高于关断参考电压，所述控制电路用于开通S2，关断S1、S3和S4，以通过负电压Vee以及电感Lc提供的高阻网络来抑制共源极电感串扰，否则，所述控制电路用于开通S4，关断S1、S2和S3，以构建低阻网络来抑制米勒电容串扰； 所述内部栅源电压提取电路包括：第一差分放大电路、第二差分放大电路、第三差分放大电路和加减法电路； 第一差分放大电路的两个输入端之间连接有外部栅极采样电阻Rgext，同相输入端连接S3的源极，反相输入端连接被串扰的SiCMOSFET的栅极； 第二差分放大电路的同相输入端连接被串扰的SiCMOSFET的栅极，反相输入端连接被串扰的SiCMOSFET的源极； 第三差分放大电路的两个输入端之间连接外部源极电感Lsext，同相输入端连接被串扰的SiCMOSFET的源极； 加减法电路的同相输入端连接第二差分放大电路输出端，反相输入端连接第一差分放大电路输出端和第三差分放大电路输出端，输出端输出vgsint。

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