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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于多回路复频域分析的中压SiC模块吸收电路设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118748491B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410841968.0，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权基于多回路复频域分析的中压SiC模块吸收电路设计方法是由胡斯登;吴旭;李孟好;杨麒筹设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多回路复频域分析的中压SiC模块吸收电路设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于多回路复频域分析的中压SiC模块吸收电路设计方法，将包含吸收电路在内的碳化硅模块换流回路拆分成两个独立的振荡回路，其中碳化硅模块输出电容与吸收电路构成高频振荡回路，换流回路寄生电感主体部分与吸收电路构成低频振荡回路；本发明可有效消除碳化硅模块在关断暂态的漏源极电压振荡现象。

本发明授权基于多回路复频域分析的中压SiC模块吸收电路设计方法在权利要求书中公布了：1.基于多回路复频域分析的中压SiC模块吸收电路设计方法，其特征在于：将包含吸收电路在内的碳化硅模块换流回路拆分成两个独立的振荡回路，其中碳化硅模块输出电容与吸收电路构成高频振荡回路，换流回路寄生电感主体部分与吸收电路构成低频振荡回路；针对高频振荡回路和低频振荡回路，依次构建电路特征方程，通过调整吸收电路参数，将高频振荡回路和低频振荡回路均设置在过阻尼工作状态；所述碳化硅模块包括模块上管组件Upperdevice和模块下管组件Lowerdevice，模块上管组件Upperdevice和模块下管组件Lowerdevice内均设置有MOSFET开关管QL，两MOSFET开关管QL相串联且源极和漏极上连接有反并联肖特基垒势二极管DH，两MOSFET开关管QL的外接端分别具有端子D1和端子S2，D1、S2端子为模块的直流端子；所述MOSFET开关管QL上并联有输出电容Coss；所述模块上管组件Upperdevice上并联有负载电感Lload；所述端子D1和端子S2上共同连接有由直流侧支撑电容Cbus组成的换流回路，直流侧支撑电容Cbus与端子D1间具有换流回路寄生电感Ls；碳化硅模块直流端子处就近安装吸收电路，换流回路寄生电感Ls被拆分成寄生电感Ls1和寄生电感Ls2两部分，寄生电感Ls2紧邻碳化硅模块，使寄生电感Ls2远小于寄生电感Ls1；所述吸收回路由高频无感电容Csnb和无感电阻Rsnb串联形成；寄生电感Ls1、高频无感电容Csnb与无感电阻Rsnb串联构成低频振荡回路，而寄生电感Ls2、高频无感电容Csnb、无感电阻Rsnb以及碳化硅模块MOSFET输出电容Coss串联构成高频振荡回路； 所述无感电阻Rsnb的取值范围为：

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