中微半导体设备(上海)股份有限公司毛杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种聚焦环、等离子体处理装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118737789B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310323227.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种聚焦环、等离子体处理装置及其操作方法是由毛杰;唐观扬设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种聚焦环、等离子体处理装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种聚焦环、等离子体处理装置及其操作方法。所述聚焦环用于等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括反应腔和位于所述反应腔内的作为下电极和承载晶圆的基座，所述聚焦环在反应腔内环绕基座设置；所述聚焦环包括外延部，所述外延部在工艺处理时环绕基座所承载的晶圆的外周；所述外延部包括第一环形顶面，所述第一环形顶面上设置有沿其周向延伸的鞘层调整槽，用于在制程中调整其上方的等离子体鞘层形状以形成鞘层凸起。本发明能够收集反应腔内的聚合物颗粒物，减少颗粒物对晶圆的污染，提高工艺效果。
本发明授权一种聚焦环、等离子体处理装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种聚焦环，用于等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括反应腔和位于所述反应腔内的作为下电极和承载晶圆的基座，其特征在于， 所述聚焦环在反应腔内环绕基座设置； 所述聚焦环包括外延部，所述外延部在工艺处理时环绕基座所承载的晶圆的外周； 所述外延部包括第一环形顶面，所述第一环形顶面上设置有沿其周向延伸的鞘层调整槽，所述鞘层调整槽的槽宽不小于1mm，且槽深不超过外延部第一环形顶面所在区域的最小垂直厚度的20％，所述鞘层调整槽用于在制程中调整其上方的等离子体鞘层形状以形成鞘层凸起。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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