中山大学周述获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118632616B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410722357.4，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器及其制备方法是由周述;黄君丽;周略;母云城设计研发完成，并于2024-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器及其制备方法，该范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器的制备方法包括如下步骤：S1.利用钙钛矿前驱体溶液，通过逆温结晶法制备钙钛矿块状单晶；S2.研磨钙钛矿块状单晶，并压片制成钙钛矿单晶压片；S3.利用热缓释材料在钙钛矿单晶压片上制备热缓释层；S4.在热缓释层上蒸镀电极，再利用热分解法去除热缓释层，即得范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器；所述热缓释材料为质量百分数1wt.％‑5wt.％的聚碳酸丙烯酯溶液。本发明的制备方法大大缩短了卤化物杂化钙钛矿单晶的制备周期，使制得的大量卤化物杂化钙钛矿单晶的厚度和形状统一，且利用该方法制备的忆阻器具有低能耗的优点。
本发明授权一种范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.利用钙钛矿前驱体溶液，通过逆温结晶法制备钙钛矿块状单晶； S2.研磨钙钛矿块状单晶，并压片制成钙钛矿单晶压片； S3.利用热缓释材料在钙钛矿单晶压片上制备热缓释层； S4.在热缓释层上蒸镀电极，再利用热分解法去除热缓释层，即得范德华接触的钙钛矿单晶压片忆阻器； 所述热缓释材料为质量百分数1wt.％-5wt.％的聚碳酸丙烯酯溶液。
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