长鑫存储技术有限公司冯鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝存储单元及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118524706B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410752854.9，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权反熔丝存储单元及其制作方法是由冯鹏;李雄设计研发完成，并于2019-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本反熔丝存储单元及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种反熔丝存储单元及其制作方法，反熔丝存储单元包括：衬底，衬底上具有选择栅极结构；第一掺杂区和第二掺杂区分别位于选择栅极结构相对两侧的衬底内且两者掺杂离子类型相同；第一掺杂区朝向第二掺杂区的水平方向上，第一掺杂区与选择栅极结构之间具有间距，第一掺杂区与选择栅极结构之间未设置LDD结构；位于衬底上的反熔丝栅介质层和位于反熔丝栅介质层上的反熔丝栅极，第一掺杂区、反熔丝栅介质层以及反熔丝栅极构成反熔丝晶体管；第三掺杂区，第三掺杂区位于第二掺杂区与选择栅极结构之间，第三掺杂区的与第二掺杂区的掺杂离子类型相同，且第三掺杂区的掺杂离子浓度小于第二掺杂区的掺杂离子浓度。
本发明授权反熔丝存储单元及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝存储单元，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上具有选择栅极结构； 第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别位于选择栅极结构相对两侧的所述衬底内，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同；所述第一掺杂区朝向所述第二掺杂区的水平方向上，所述第一掺杂区与所述选择栅极结构之间具有间距，所述第一掺杂区与所述选择栅极结构之间未设置LDD结构； 位于所述衬底上的反熔丝栅介质层和位于所述反熔丝栅介质层上的反熔丝栅极，所述第一掺杂区、所述反熔丝栅介质层以及所述反熔丝栅极构成反熔丝晶体管； 第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述衬底内且与所述第二掺杂区相接触，所述第三掺杂区位于所述第二掺杂区与所述选择栅极结构之间，所述第三掺杂区的掺杂离子类型与所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同，且所述第三掺杂区的掺杂离子浓度小于所述第二掺杂区的掺杂离子浓度。
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