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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利提升垂直型功率器件可靠性的结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117497596B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311625400.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权提升垂直型功率器件可靠性的结构及其制造方法是由曾大杰设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本提升垂直型功率器件可靠性的结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升垂直型功率器件可靠性的结构，器件单元区中设置有穿过沟道区的沟槽栅以及形成于沟道区表面的源区，终端区中具有穿过沟道区的第二沟槽结构，第一热氧化层覆盖在终端区和器件单元区的全部区域中，在终端区中，第一热氧化层直接对第一外延层的材料以及第二导电材料层的材料进行热氧化形成，在器件单元区中，第一热氧化层直接对第一外延层的材料以及栅极导电材料层的材料进行热氧化形成，利用第一热氧化层和第一外延层的材料之间的界面特性以及第一热氧化层的全面无刻蚀的连续延伸结构来提高垂直型功率器件的可靠性。本发明还公开了一种提升垂直型功率器件可靠性的结构的制造方法。本发明能提升可靠性并同时降低工艺成本。

本发明授权提升垂直型功率器件可靠性的结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种提升垂直型功率器件可靠性的结构，其特征在于，垂直型功率器件包括器件单元区以及终端区，所述终端区环绕在所述器件单元区的周侧； 在第一导电类掺杂的第一外延层的表面区域形成有第二导电类型掺杂的沟道区； 所述沟道区底部的所述第一外延层作为漂移区； 所述漂移区的底部形成有背面电极区，所述背面电极区的背面形成有由背面金属层形成的背面电极； 在所述器件单元区中形成有多个相并联的器件单元；各所述器件单元包括沟槽栅； 所述沟槽栅包括栅极沟槽、形成于所述栅极沟槽的内侧表面的栅介质层和填充于所述栅极沟槽中的栅极导电材料层；所述栅极沟槽穿过所述沟道区，被所述栅极导电材料层侧面覆盖的所述沟道区的表面用于形成导电沟道； 各所述器件单元还包括第一导电类型重掺杂的源区，所述源区形成于所述沟道区的表面并和对应的所述沟槽栅的侧面自对准； 在所述终端区中包括多个第二沟槽结构，所述第二沟槽结构包括第二沟槽、形成于所述第二沟槽的内侧表面的第二介质层和填充于所述第二沟槽中的第二导电材料层；所述第二沟槽穿过所述沟道区； 各所述栅极沟槽和各所述第二沟槽平行排列； 第一热氧化层覆盖在所述终端区和所述器件单元区的全部区域中，在所述终端区中，所述第一热氧化层直接对所述沟道区的表面区域中的所述第一外延层的材料以及第二导电材料层的材料进行热氧化形成，在所述器件单元区中，所述第一热氧化层直接对所述源区的表面区域中的所述第一外延层的材料、所述源区外的所述沟道区的表面区域中的所述第一外延层的材料以及栅极导电材料层的材料进行热氧化形成； 横向耐压的终端结构的组成结构包括多个横向排列的所述第二沟槽结构、所述沟道区、所述漂移区和所述第一热氧化层，利用所述第一热氧化层和所述第一外延层的材料之间的界面特性以及所述第一热氧化层在所述终端区和所述器件单元区中全面无刻蚀的连续延伸结构来提高所述垂直型功率器件的可靠性； 所述沟道区和所述源区的杂质采用所述第一热氧化层的热氧化的热过程推进； 所述第一热氧化层的厚度满足层间膜的厚度需求，所述层间膜由所述第一热氧化层组成； 或者，所述第一热氧化层作为层间膜的底部部分，在所述第一热氧化层的表面还形成有沉积氧化层，由所述第一热氧化层和所述沉积氧化层叠加形成所述层间膜。

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