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龙图腾网获悉西北工业大学宁波研究院申请的专利一种压电半导体金字塔形制冷器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117249600B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311264853.1，技术领域涉及：F25B21/02；该发明授权一种压电半导体金字塔形制冷器件是由屈毅林;鲁双;朱峰;潘尔年;李东波;曹勇;曹永辉;潘光设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压电半导体金字塔形制冷器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种压电半导体金字塔形制冷器件，通过施加反向均布横向载荷作用于压电半导体金字塔形制冷器件，基于半导体材料的帕尔帖效应和焦耳热效应，压电半导体金字塔形制冷器件内产生了由一个热源和一个热汇组成的热偶极子，当焦耳热为正时产生热源，当焦耳热为负时产生热汇，实现压电半导体制冷；金字塔形结构可以通过增加层数有效地增大最上层与最下层的温差，压电半导体金字塔形制冷器件可以在不受材料限制的情况下实现显著的大温差。本发明提供的压电半导体金字塔形制冷器件结构简单、灵活性高，且在工作过程中不会产生噪音。

本发明授权一种压电半导体金字塔形制冷器件在权利要求书中公布了：1.一种压电半导体金字塔形制冷器件，其特征在于：通过施加反向均布横向载荷于所述压电半导体金字塔形制冷器件来进行制冷；所述压电半导体金字塔形制冷器件包括至少三层压电半导体层以及分别对应与每一层压电半导体层连接的至少三个直流电源，所述直流电源的正极与压电半导体层的底面连接，所述直流电源的负极与压电半导体层的顶面连接，所述至少三层压电半导体层构成金字塔形结构，且每相邻的两层压电半导体层之间安装有电绝缘导热层8，位于所述的至少三层压电半导体层的最下层的压电半导体层的底面安装有吸热片9；所述反向均布横向载荷分别施加于每一层压电半导体层的顶面，且施加于每一层压电半导体层顶面的反向均布横向载荷的数值相同；所述的至少三层压电半导体层中的每一层压电半导体层均由若干个并联连接的压电半导体制冷片4组成；所述压电半导体金字塔形制冷器件包括三层压电半导体层以及分别对应与每一层压电半导体层连接的三个直流电源，所述的三层压电半导体层包括由上往下依次排布的第一压电半导体层1、第二压电半导体层2以及第三压电半导体层3，所述的第一压电半导体层1由三个竖直并行放置的压电半导体制冷片4并联连接组成，所述的第二压电半导体层2由四个竖直并行放置的压电半导体制冷片4并联连接组成，所述的第三压电半导体层3由五个竖直并行放置的压电半导体制冷片4并联连接组成。

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