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重庆理工大学吴德操获国家专利权

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龙图腾网获悉重庆理工大学申请的专利一种纸质文物有机熏蒸的脱吸附与残留预测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117133376B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311154352.8,技术领域涉及:G16C20/30;该发明授权一种纸质文物有机熏蒸的脱吸附与残留预测方法是由吴德操;罗彬彬;邓磊;曹盛;匡茂;万意东;李金忠;陈复旦;伍自强设计研发完成,并于2023-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

一种纸质文物有机熏蒸的脱吸附与残留预测方法在说明书摘要公布了:本发明具体涉及一种纸质文物有机熏蒸的脱吸附与残留预测方法,包括:构建有机熏蒸剂的挥发速率预测模型;通过有机熏蒸剂对纸质文物进行熏蒸,并获熏蒸完成时的初始熏蒸附着量;在熏蒸后的纸质文物挥发预设时间后,获取挥发时间和熏蒸残留量;根据熏蒸后纸质文物的挥发时间和初始熏蒸附着量结合其挥发速率预测模型计算对应的挥发速率;根据熏蒸后纸质文物的熏蒸残留量和挥发速率计算对应的剩余挥发时间;根据熏蒸后纸质文物的剩余挥发时间设置脱吸附预测完成时间。本发明能够有效计算有机熏蒸剂的挥发速率和残留量并预测有机熏蒸剂的脱吸附时间,有利于掌握有机熏蒸剂在纸质文物上的残留状态和脱吸附状态,控制有机熏蒸时的剂量和挥发时间。

本发明授权一种纸质文物有机熏蒸的脱吸附与残留预测方法在权利要求书中公布了:1.一种纸质文物有机熏蒸的脱吸附与残留预测方法,其特征在于,包括: S1:基于菲克定律构建有机熏蒸剂的挥发速率预测模型; 步骤S1中,通过如下公式表示有机熏蒸剂的挥发速率预测模型: 式中:vx,y,z,t表示有机熏蒸剂经过挥发时间t后在测量位置x,y,z处的挥发速率;D表示有机熏蒸剂的扩散系数;c0表示有机熏蒸剂的初始浓度;r表示测量位置x,y,z与纸质文物所在位置之间的距离; S2:通过有机熏蒸剂对纸质文物进行熏蒸,并获熏蒸完成时的初始熏蒸附着量; S3:在熏蒸后的纸质文物挥发预设时间后,获取对应的挥发时间和熏蒸残留量; S4:根据熏蒸后纸质文物的挥发时间和初始熏蒸附着量结合其挥发速率预测模型计算对应的挥发速率; S5:根据熏蒸后纸质文物的熏蒸残留量和挥发速率计算对应的剩余挥发时间; S6:根据熏蒸后纸质文物的剩余挥发时间为其设置对应的脱吸附预测完成时间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人重庆理工大学,其通讯地址为:400054 重庆市巴南区李家沱红光大道69号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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