本源量子计算科技(合肥)股份有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉本源量子计算科技(合肥)股份有限公司申请的专利超导金属叠层结构的制备方法和超导金属叠层结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117082963B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311124795.2，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权超导金属叠层结构的制备方法和超导金属叠层结构是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;赵勇杰设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本超导金属叠层结构的制备方法和超导金属叠层结构在说明书摘要公布了：本公开提供的一种超导金属叠层结构的制备方法和超导金属叠层结构，涉及芯片制备技术领域。该方法中，提供具有第一超导金属层的衬底，在第一超导金属层上形成对预设光线以外的其他光线敏感的第一光刻胶层，在第一光刻胶层上形成对预设光线敏感的第二光刻胶层。利用预设光线对第二光刻胶层进行光刻，形成第一开口。以非光刻方式在第一开口内的第一光刻胶层上形成第二开口，在第二开口内的第一超导金属层上形成第二超导金属层。利用第一光刻胶层和第二光刻胶层对预设光线的敏感差异，采用第一光刻胶层对第一超导金属层进行保护，从而可以避免第一超导金属层受到显影液的腐蚀，提升超导芯片的性能。
本发明授权超导金属叠层结构的制备方法和超导金属叠层结构在权利要求书中公布了：1.一种超导金属叠层结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供具有第一超导金属层的衬底100； 在所述第一超导金属层上形成对预设光线以外的其他光线敏感的第一光刻胶层110； 在所述第一光刻胶层110上形成对所述预设光线敏感的第二光刻胶层120； 利用所述预设光线对所述第二光刻胶层120进行光刻，形成第一开口121； 以非光刻方式在所述第一开口121内的所述第一光刻胶层110上形成第二开口111； 在所述第二开口111内的所述第一超导金属层上形成第二超导金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人本源量子计算科技(合肥)股份有限公司，其通讯地址为：231283 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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