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龙图腾网获悉南通大学申请的专利一种具有LSPR效应的银基纳米尖锥阵列SERS基底制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116949400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310873814.5，技术领域涉及：C23C14/24；该发明授权一种具有LSPR效应的银基纳米尖锥阵列SERS基底制备方法是由成鸣飞;王久川;吴静;凌壮壮;葛黄蓉设计研发完成，并于2023-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有LSPR效应的银基纳米尖锥阵列SERS基底制备方法在说明书摘要公布了：本发明为一种具有LSPR效应的银基纳米尖锥阵列SERS基底制备方法，包括以下步骤：步骤1：制备PS薄膜，该膜无色透明且表面无孔洞，是制备纳米尖锥阵列结构的前提；步骤2：通过热压印，获得具有纳米尖锥阵列结构的PS模板；步骤3：对步骤2获得的PS尖锥模板进行刻蚀处理，获得高重复性的微纳尖锥阵列模板；步骤4：对步骤3处理后的PS尖锥模板进行蒸镀处理，获得贵金属基纳米尖锥阵列的SERS基底。本方法基于纳米限域压印、多角度物理沉积等方式，低成本实现了大面积贵金属基纳米尖锥阵列结构的可控制备。该工作对高灵敏、高重复性SERS传感器件的开发具有重要的基础研究意义，同时在微纳流控器件的传感检测研究方面具有显著潜力。

本发明授权一种具有LSPR效应的银基纳米尖锥阵列SERS基底制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有LSPR效应的银基纳米尖锥阵列SERS基底制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：制备PS薄膜，该膜无色透明且表面无孔洞，是制备纳米尖锥阵列结构的前提； 所述步骤1中制备PS薄膜具体包括如下步骤： S11:将载玻片分别置于无水乙醇和超纯水中超声清洗20min，并用超纯水淋洗，氮气吹干备用； S12:将PS颗粒置于载玻片上，放置在加热台，加热到280℃，使其处于熔融状态; S13:取另一片载玻片，重复按压熔融状的PS，直到形成2-4mm厚的薄膜； S14:压平的PS薄膜再加热3分钟，让其表面光滑,最后形成所需要的PS薄膜； 步骤2：通过热压印，获得具有纳米尖锥阵列结构的PS模板； 所述步骤2中制备具有纳米尖锥阵列结构的PS模板包括如下步骤： S21:将单通模板用小刀切割至0.5cm×0.5cm的大小，随后将单通AAO模板有孔的一面朝向PS膜，用载玻片进行按压使PS充分渗透，确保热熔后的PS膜渗入模板孔洞中，加热20s后再进行按压处理，该步骤反复进行3～5次； S22:接着是去除AAO模板，将PS模板从加热台上取下冷却，在室温下让其漂浮在3.4克氯化铜、75毫升盐酸和100毫升超纯水的混合溶液表面，待模板上氧化铝层反应完后取出，用超纯水冲洗； S23:再将PS模板放入质量分数为5%的磷酸溶液中，置于35摄氏度的水浴锅中4小时去除铝层； S24:最后将PS模板从磷酸溶液中取出，并用超纯水进行冲洗，用氮气进行吹干，然后置于玻璃培养皿中； 步骤3：对步骤2获得的PS尖锥模板进行刻蚀处理，获得高重复性的微纳尖锥阵列模板； 所述步骤3中所述获得高重复性的微纳尖锥阵列模板包括如下步骤： S31:将经过上述步骤S2处理的已复刻AAO模板形貌的PS尖锥模板放入等离子刻蚀机中，将等离子刻蚀机工作参数调至功率：90w，工作时间：10分钟，工作前真空度：30pa，工作中真空度：50pa； S32:刻蚀一次后再将其工作时间调为5分钟再刻蚀一次，最终获得具有高重复性的微纳尖锥阵列模板； 步骤4：对步骤3处理后的PS尖锥模板进行蒸镀处理，获得贵金属基纳米尖锥阵列的SERS基底； 所述步骤4中制备贵金属基纳米尖锥阵列的SERS基底包括如下步骤： 将PS尖锥从等离子刻蚀机中取出，采用真空热蒸镀技术，在8×10-4Pa的真空环境下，以蒸镀速率分别为1.2Ås、1.5Ås、2.0Ås将150nm银膜沉积在PS尖锥上，最终得到多个银膜基的纳米尖锥阵列的SERS基底。

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