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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种或非逻辑式的存内逻辑计算系统及计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116913340B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310992192.8，技术领域涉及：G11C11/36；该发明授权一种或非逻辑式的存内逻辑计算系统及计算方法是由陈冰;叶佳宝;崔学成;毕浩雄;王万年;曹继芳设计研发完成，并于2023-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种或非逻辑式的存内逻辑计算系统及计算方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种或非逻辑式的存内逻辑计算系统，包括一个时序控制单元D，至少一组记忆二极管A、B、C和至少一个控制单元U；5个记忆二极管的负极均连接在同一条位线Bitline的一端，5个记忆二极管的正极连接不同字线；位线的另一端连接所述控制单元U；所述控制单元U用于控制位线接地或将位线上的电压拉到‑12VDD。可以在大规模存储阵列中实现存内逻辑计算，将非冯诺依曼架构的存内计算推广到通用计算领域，提升存内计算芯片的能效与速度，将存内计算芯片应用到逻辑运算领域。

本发明授权一种或非逻辑式的存内逻辑计算系统及计算方法在权利要求书中公布了：1.一种或非逻辑式的存内逻辑计算方法，其特征在于，采用或非逻辑式的存内逻辑计算系统，包括一个时序控制单元D，至少一组记忆二极管A、、B、、C和至少一个控制单元U；所述记忆二极管的负极均连接在同一条位线Bitline的一端，5个记忆二极管的正极连接不同字线；位线的另一端连接所述控制单元U；所述字线连接时序控制单元D； 通过将任意一个二元布尔逻辑式分解为或非逻辑式的方法实现存内逻辑计算，具体步骤如下： 1C'=logic=+，其中， C'为逻辑表达式中的输出，对应记忆二极管C的导通状态，C’为1，则对应的记忆二极管C导通；C’为0，则对应的记忆二极管C不导通； 、B为任意一个二元布尔逻辑式的输入，logic代表逻辑运算符号，M1、M2、M3、M4为逻辑表达式中A’、B’、、中的一个，且各不相同；A’、、B’、依次对应记忆二极管A、、B、的导通状态，若A’、、B’、为1，则对应的记忆二极管A、、B、导通，若A’、、B’、为0，则对应的记忆二极管A、、B、不导通；其中为M1与M2进行或运算之后再进行取反；为M3与M4进行或运算之后再进行取反；为对进行取反操作；为对进行取反操作； 2在时序控制单元D产生的第一个时序控制过程T0~T1中，操作M1和M2对应的记忆二极管，如果M1对应的逻辑值为逻辑1，则对M1对应的记忆二极管施加SET电压；如果M1对应的逻辑值为逻辑0，则对M1对应的记忆二极管施加0电压；如果M2对应的逻辑值为逻辑1，则对M2对应的记忆二极管施加SET电压；如果M2对应的逻辑值为逻辑0，则对M2对应的记忆二极管施加0电压； 3在时序控制单元D产生的第二个时序控制过程T1~T2中，操作记忆二极管C，对记忆二极管C施加SET电压； 4在时序控制单元D产生的第三个时序控制过程T2~T3中，操作M3和M4对应的记忆二极管，如果M3对应的逻辑值为逻辑1，则对M3对应的记忆二极管施加SET电压；如果M3对应的逻辑值为逻辑0，则对M3对应的记忆二极管施加0电压；如果M4对应的逻辑值为逻辑1，则对M4对应的记忆二极管施加SET电压；如果M4对应的逻辑值为逻辑0，则对M4对应的记忆二极管施加0电压； 5在时序控制单元D产生的第四个时序控制过程T3~T4中，操作记忆二极管C，对记忆二极管C施加SET电压。

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