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中国科学院理化技术研究所孟祥敏获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院理化技术研究所申请的专利超结构材料及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116837338B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210292138.8,技术领域涉及:C23C14/48;该发明授权超结构材料及其制备方法是由孟祥敏;田利丰;刘培;马玉田设计研发完成,并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

超结构材料及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种超结构材料及其制备方法,该制备方法包括如下步骤:将所需加工的衬底固定放置于样品仓的样品台上,关闭所述样品仓并抽真空;开启薄膜制备系统以对所述衬底进行镀膜;关闭所述薄膜制备系统,开启离子注入系统和图形发生器以对所述衬底进行图案化离子注入;关闭离子注入系统和图形发生器。可以实现超结构材料制备的可控性,在进行超结构材料制备时,可以对薄膜生长环境、生长速率进行实时监控,还可以对离子源进行实时切换,且该制备方法具有较强的普适性,适用于金属及其合金、半导体功能材料以及陶瓷材料等。

本发明授权超结构材料及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种超结构材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 将所需加工的衬底固定放置于样品仓的样品台上,关闭所述样品仓并抽真空; 开启薄膜制备系统以对所述衬底进行镀膜; 关闭所述薄膜制备系统,开启离子注入系统和图形发生器以对所述衬底进行图案化离子注入; 关闭所述离子注入系统和所述图形发生器; 重复m次所述开启薄膜制备系统以对所述衬底进行镀膜,关闭所述薄膜制备系统,开启离子注入系统和图形发生器以对所述衬底进行图案化离子注入,关闭所述离子注入系统和所述图形发生器的步骤,以制备不同厚度的所述超结构材料;其中,m为大于等于2的整数; 样品台转动安装于样品仓中,使样品台能进行翻转。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院理化技术研究所,其通讯地址为:100190 北京市海淀区中关村东路29号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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