上海科技大学翁祖谦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种基于压力监测的弯晶制备装置及使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116787621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310846554.2，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权一种基于压力监测的弯晶制备装置及使用方法是由翁祖谦;张凯宇;曾暄琦;刘星;刘鹏设计研发完成，并于2023-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于压力监测的弯晶制备装置及使用方法在说明书摘要公布了：本发明涉及X射线光学元件制备技术领域，具体涉及一种基于压力监测的弯晶制备装置及其使用方法。一种基于压力监测的弯晶制备装置，包括下壳体、若干压力传感器、支架、第一基底、第二基底、上壳体和若干压力调节部，所述下壳体内设有空腔，且所述下壳体顶部敞开，所述压力传感器设于所述空腔内，所述支架设于所述传感器远离所述下壳体底部的一侧，所述第一基底、第二基底和上壳体沿着远离所述下壳体的方向依次设于所述支架上，所述上壳体和所述下壳体通过所述压力调节部相连。本发明可以解决弯晶制备过程中，压力大小及压力分布的均匀性无法精确测量和控制的问题。
本发明授权一种基于压力监测的弯晶制备装置及使用方法在权利要求书中公布了：1.一种基于压力监测的弯晶制备装置，其特征在于，包括下壳体1、若干压力传感器2、支架3、第一基底4、第二基底5、上壳体6和若干压力调节部7，所述下壳体1内设有空腔，且所述下壳体1顶部敞开，所述压力传感器2设于所述空腔内，所述支架3设于所述传感器远离所述下壳体1底部的一侧，所述第一基底4、第二基底5和上壳体6沿着远离所述下壳体1的方向依次设于所述支架3上，所述上壳体6和所述下壳体1通过所述压力调节部7相连；还包括智能终端，所述智能终端与所述压力传感器2通信连接；所述的第一基底4和所述第二基底5与晶体相接的一面选自球面、柱面和双曲面中的一种或者多种；所述压力调节部7包括第一调节孔71、第二调节孔72和定位件73；所述第一调节孔71设于所述上壳体6且贯穿所述上壳体6，所述第二调节孔72设于所述下壳体1且贯穿所述下壳体1，所述第一调节孔71和所述第二调节孔72相匹配，所述定位件73活动设于所述第一调节孔71和所述第二调节孔72中。
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