南京理工大学赵子杰获国家专利权
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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种电磁沟槽复合减阻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116552696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310567712.0，技术领域涉及：B63B1/32；该发明授权一种电磁沟槽复合减阻装置是由赵子杰;王安华;王鹏宇;宋宇航;苏炜翔设计研发完成，并于2023-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电磁沟槽复合减阻装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电磁沟槽复合减阻装置，包括隔板、盖板、磁极组、磁极底座、电极，电极与磁极组交替排列，同时电极与磁极中间安装有隔板，磁极组位于盖板与磁极底座中间，有效保证了磁极与外界环境不接触，避免磁极接触电解质溶液并在电场作用下形成电解池；电极、盖板以及隔板的上表面外形一致，在其排列方向上形成近似正弦变化的沟槽，分为平台区与斜坡区；磁极与电极的排列方式为N+S‑，每两对电磁极为一组，N表示磁极组上表面磁极为N极，+则表示电极所接电源为正。本装置可形成平行于装置上表面的电磁力，同时当流场的流动方向顺着装置上表面所形成的沟槽方向时，可以实现最大化减阻。
本发明授权一种电磁沟槽复合减阻装置在权利要求书中公布了：1.一种电磁沟槽复合减阻装置，其特征在于，包括磁极、隔板和电极，电极与磁极中间安装有隔板，电极与磁极交替排列，磁极、隔板和电极形状相同，具有正弦变化的沟槽； 所述磁极、隔板和电极均包括交替的底部平台区、斜坡区和顶部平台区，底部平台区与顶部平台区之间通过斜坡区连接； 所述磁极与电极的排列方式为N+S-，每两对电磁极为一组，N表示磁极组上表面磁极为N极，+则表示电极所接电源为正。
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