潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所董风鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所申请的专利一种双波长半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116365360B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310230592.5，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权一种双波长半导体激光器及其制备方法是由董风鑫;郑婉华;杜方岭;周旭彦设计研发完成，并于2023-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双波长半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种双波长半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器领域。所述双波长半导体激光器，在同一外延片衬底的长度方向上，依次设置有第一狭槽光栅、调相区、增益区、第二狭槽光栅；所述第一狭槽光栅、调相区、增益区、第二狭槽光栅呈脊条状依次排列；所述第一狭槽光栅与第二狭槽光栅的周期相差3%‑20%；所述调相区的长度为增益区长度的10‑40%；所述脊条包括脊波导结构。本发明的双波长半导体激光器能够在降低双波长激光器制备工艺的复杂性，保证激光器工作可靠性和稳定性的同时，实现双波长的激光输出，并实现对激光器内部选择的双波长相位进行调控，实现双波长激光在0.05‑1.2THz波长范围内的有效调谐。
本发明授权一种双波长半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双波长半导体激光器，其特征在于，在同一外延片5衬底的长度方向上，依次设置有第一狭槽光栅1、调相区2、增益区3、第二狭槽光栅4； 所述第一狭槽光栅1、调相区2、增益区3、第二狭槽光栅4呈脊条7状依次排列； 所述第一狭槽光栅1与第二狭槽光栅4光栅的周期相差10-15%； 所述调相区2的长度为增益区3长度的15-20%； 所述脊条7包括脊波导结构。
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