华邦电子股份有限公司林立伟获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利存储器阵列及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116343854B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111603373.4，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权存储器阵列及其操作方法是由林立伟设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器阵列及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种存储器阵列，包括：多组字线；多条位线；以及多个存储单元，各所述多个存储单元分别设置在所述多组字线与所述多条位线彼此的交叉处。每一个存储单元包括第一与第二导电阻丝构件以及开关电路，所述第一与所述第二导电阻丝构件的一端耦接至所述多条位线中的相应位线，一端耦接至所述开关电路。在差动式模式下操作时，依据所述第一与所述第二导电阻丝构件的读取电流来进行读取。在单端式模式下操作时，依据所述第一与所述第二导电阻丝构件中成形出导电阻丝者的读取电流以及参考电流来进行读取。
本发明授权存储器阵列及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器阵列，包括： 多组字线，其中所述多组字线的每一组包括第一字线、第二字线与第三字线； 多条位线与多组源极线；以及 多个存储单元，各所述多个存储单元分别设置在所述多组字线与所述多条位线彼此的交叉处， 其中每一个存储单元包括第一与第二导电阻丝构件以及开关电路，所述第一与所述第二导电阻丝构件的一端耦接至所述多条位线中的相应位线，另一端耦接至所述开关电路， 在各所述多个存储单元经阻丝成形后，所述第一与所述第二导电阻丝构件的其中一者成形出导电阻丝，另一者成高电阻状态， 所述存储器阵列在差动式模式下操作时，依据所述第一与所述第二导电阻丝构件的读取电流来进行读取， 所述存储器阵列在单端式模式下操作时，依据所述第一与所述第二导电阻丝构件中成形出导电阻丝者的读取电流以及参考电流来进行读取。
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