日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社荒木典俊获国家专利权
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龙图腾网获悉日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社申请的专利半导体装置用Ag合金接合线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116324000B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180071142.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体装置用Ag合金接合线是由荒木典俊;大壁巧;小田大造;宇野智裕;小山田哲哉设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置用Ag合金接合线在说明书摘要公布了：本发明提供一种在高密度安装中所需的、球接合时的球的压接形状优异的新的半导体装置用Ag合金接合线。该半导体装置用Ag合金接合线由Ag合金构成，该Ag合金含有从由Te、Bi及Sb构成的组中选择的1种以上的元素，并满足以下的条件1～3中的至少一个，1Te的浓度为5～500at.ppm2Bi的浓度为5～500at.ppm3Sb的浓度为5～1500at.ppm。
本发明授权半导体装置用Ag合金接合线在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置用Ag合金接合线，其由Ag合金构成，该Ag合金含有从由Te、Bi及Sb构成的组中选择的1种以上的元素作为第1元素、以及从Pd、Pt、In及Ga构成的组中选择的1种以上的元素作为第2元素， 作为第2元素，至少含有In， 第2元素的总计浓度为0.05~3at.%， In的浓度为0.03at.%以上， 并满足以下的条件1～3中的至少一个， 1Te的浓度为5～500at.ppm 2Bi的浓度为5～500at.ppm 3Sb的浓度为5～1500at.ppm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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