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龙图腾网获悉西北核技术研究所申请的专利表面具有共轭分子基团的陶瓷真空绝缘子制备方法及绝缘子获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310242214.9，技术领域涉及：H01B19/04；该发明授权表面具有共轭分子基团的陶瓷真空绝缘子制备方法及绝缘子是由霍艳坤;刘文元;何亚姣;贾伟;陈志强;柯昌凤;程军;吴伟设计研发完成，并于2023-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本表面具有共轭分子基团的陶瓷真空绝缘子制备方法及绝缘子在说明书摘要公布了：本发明涉及表面具有共轭分子基团的陶瓷真空绝缘子制备方法及绝缘子；解决陶瓷绝缘子真空沿面耐压性能低，且无论是直接氟化还是等离子体辅助氟化均不能用于提升陶瓷真空绝缘子的沿面耐压水平，将聚合物薄膜制备在陶瓷真空绝缘子表面提升其沿面闪络电压时面临着易脱落的问题；包括1：制备共轭分子基团反应溶液，同时对陶瓷真空绝缘子样件进行羟基化；2：将陶瓷真空绝缘子样件放入共轭分子基团反应溶液内静置反应6‑24h；3：将陶瓷真空绝缘子样件浸渍清洗后，除去多余共轭分子基团反应溶液；4：将陶瓷真空绝缘子样件干燥后，升温到110‑120℃，进行2‑4h的高温键合，获得表面具有共轭分子基团的陶瓷真空绝缘子；本发明还提出上述方法制备的绝缘子。

本发明授权表面具有共轭分子基团的陶瓷真空绝缘子制备方法及绝缘子在权利要求书中公布了：1.一种表面具有共轭分子基团的陶瓷真空绝缘子制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1：制备共轭分子基团反应溶液，同时对陶瓷真空绝缘子样件进行羟基化，获得羟基化后的陶瓷真空绝缘子样件； 步骤2：将完成步骤1的陶瓷真空绝缘子样件放入步骤1中制备的共轭分子基团反应溶液内静置反应6-24h； 步骤3：将完成步骤2后的陶瓷真空绝缘子样件浸渍清洗后，除去多余共轭分子基团反应溶液； 步骤4：将完成步骤3的陶瓷真空绝缘子样件干燥后，升温到110-120℃，进行2-4h的高温键合，获得表面具有共轭分子基团的陶瓷真空绝缘子； 所述步骤1中，制备共轭分子基团反应溶液具体为： 按照0.1％-2％的体积比量取含有共轭分子基团的活性有机试剂以及有机溶剂，并将活性有机试剂溶解在有机溶剂中，加入与有机溶剂体积比为0.05％-2％的去离子水和与有机溶剂体积比为0.02％-0.1％的乙酸作为水解剂与催化剂，40-60℃水解2-6h，获得共轭分子基团反应溶液； 所述步骤4中，将完成步骤3的陶瓷真空绝缘子样件在60-80℃下烘烤3-6h进行干燥； 步骤1中，所述活性有机试剂为有机硅烷； 步骤1、步骤3中，所述有机溶剂为乙醇、辛烷或二氯甲烷。

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