长鑫存储技术有限公司韩清华获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133377B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110973478.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法是由韩清华设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构的制作方法，包括：提供衬底；在衬底上形成半导体柱；在半导体柱的中部侧壁上形成栅极；在环绕有栅极的半导体柱的上部和下部进行与半导体柱反型的掺杂注入，以形成源区和漏区。由于先形成了环绕半导体柱的栅极，然后进行掺杂注入形成源区和漏区，从而可以保证掺杂注入获得精确的位置，以此提高半导体结构的制作精度，从而改善半导体结构的使用性能。
本发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内形成有位线； 在所述衬底上形成半导体柱，所述半导体柱位于所述位线上； 在所述衬底内形成所述位线的位线金属硅化物； 在所述半导体柱的中部侧壁上形成栅极； 在形成有所述栅极的所述半导体柱的上部和下部进行与所述半导体柱反型的掺杂注入，以形成源区和漏区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励