晶芯半导体(黄石)有限公司刘鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯半导体(黄石)有限公司申请的专利再生晶圆的制备方法及再生晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053114B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310096013.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权再生晶圆的制备方法及再生晶圆是由刘鹏;戴维廷;马强;王泰元设计研发完成，并于2023-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本再生晶圆的制备方法及再生晶圆在说明书摘要公布了：本公开提供了一种再生晶圆的制备方法，其包括如下步骤：采用第一清洗剂对晶圆进行第一清洗处理，采用第二清洗剂对所述晶圆进行第二清洗处理，采用第三清洗剂对所述晶圆进行第三清洗处理，采用第四清洗剂对所述晶圆进行第四清洗处理，在对所述晶圆进行第四清洗处理时，使所述晶圆旋转，朝向旋转的所述晶圆表面喷淋所述第四清洗剂，并使得所述第四清洗剂在清洗过程中于所述晶圆表面形成液膜，所述第四清洗剂包括双氧水；采用第五清洗剂对所述晶圆进行第五清洗处理，在对所述晶圆进行第五清洗处理时，控制所述晶圆旋转，并且朝向所述晶圆表面喷淋所述第五清洗剂。该再生晶圆的制备方法能够有效降低再生晶圆表面的锌残留以及颗粒残留。
本发明授权再生晶圆的制备方法及再生晶圆在权利要求书中公布了：1.一种再生晶圆的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 采用第一清洗剂对晶圆进行第一清洗处理，所述第一清洗剂包括氨水、双氧水和水； 采用第二清洗剂对所述晶圆进行第二清洗处理，所述第二清洗剂包括盐酸、双氧水和水； 采用第三清洗剂对所述晶圆进行第三清洗处理，所述第三清洗剂包括氨水、双氧水和水，氨水、双氧水和水的体积比为1:3～5:160～240； 采用第四清洗剂对所述晶圆进行第四清洗处理，在对所述晶圆进行第四清洗处理时，使所述晶圆旋转，朝向旋转的所述晶圆表面喷淋所述第四清洗剂，并使得所述第四清洗剂在清洗过程中于所述晶圆表面形成液膜，所述第四清洗剂包括双氧水； 采用第五清洗剂对所述晶圆进行第五清洗处理，在对所述晶圆进行第五清洗处理时，控制所述晶圆旋转，并且朝向所述晶圆表面喷淋所述第五清洗剂，所述第五清洗剂包括氨水、双氧水和水，氨水、双氧水和水的体积比为1:3～5:160～240。
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