湘潭大学颜泽毅获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利低温CVD生长二维半导体材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116043192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310054707.X，技术领域涉及：C23C16/448；该发明授权低温CVD生长二维半导体材料的方法是由颜泽毅;吴燕庆;黄春晖;胡城伟设计研发完成，并于2023-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本低温CVD生长二维半导体材料的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种低温CVD生长二维半导体材料的方法，采用直接在热受限目标衬底上低温生长二维半导体材料的方式，通过在钼源中混合低熔点稀散金属，使前驱体通过稀散金属共熔体的形式在较低的温度下蒸发，达到降低前驱体蒸发温度的目的，避免高温导致的介电层结晶漏电，同时避免因转移带来的褶皱、残胶以及试剂污染的引入。
本发明授权低温CVD生长二维半导体材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种低温CVD生长二维半导体材料的方法，其特征在于，包括以下步骤： 将钼源、生长促进剂和稀散金属粉源研磨混合，得到混合粉源；其中，稀散金属的熔点不高于452℃，稀散金属粉源为碲粉； 将硫族粉末均匀平铺至第一石英舟中，将混合粉源均匀平铺至第二石英舟中，并将衬底放置于所述第二石英舟上，且衬底上的介电层面面向第二石英舟； 采用双温区管式炉，在石英管腔室内沿气体流动方向设置第一温区和第二温区，将所述第一石英舟置于第一温区，将所述第二石英舟置于第二温区，且第一石英舟和第二石英舟之间保持间距； 将石英管腔室抽真空，然后持续通入载气，控制石英管腔室气压在反应所需压强，气压稳定后对第一温区和第二温区同时进行升温至预设温度，使硫族粉末形成的第一前驱体蒸发，以及混合粉源形成的第二前驱体通过稀散金属共熔体的形式蒸发；其中，第二前驱体的初始蒸发温度不高于第二温区的预设温度，第一温区的预设温度为200-400℃，第二温区的预设温度为400-600℃； 升温完成后进行保温生长，由载气携带蒸发出的第一前驱体和第二前驱体在衬底的介电层面发生化学气相沉积反应，并沉积目标材料； 反应完成的同时关闭加热源，石英管腔室温度自然冷却至常温即完成生长，得到目标材料，即所需的二维半导体材料。
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