武汉新芯集成电路制造有限公司赵常宝获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211550267.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其制造方法是由赵常宝;胡胜;叶国梁设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法将M个基板依次键合，其中，第N个基板键合至第N‑1个基板，在第N个基板远离第N‑1个基板的一侧形成第N个器件；在第N个器件外围第N个基板远离第N‑1个基板的一侧开设N‑1组第一开孔，N‑1组第一开孔贯穿第N个基板以分别暴露第N‑1个器件和第N‑1个基板上的N‑2组第一开孔；在第N个基板上的N‑1组第一开孔中填充导电材料形成导电插塞，使导电插塞将M个基板上分别设置的器件电性引出，以便于后续供更多的电路结构使用，提高半导体器件的面积利用率。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 将M个基板依次键合，其中，将第N个基板键合至第N-1个基板的步骤包括， 将第N个基板键合至第N-1个基板，在所述第N个基板远离所述第N-1个基板的一侧形成第N个器件； 在第N个基板开设N-1组第一开孔，所述N-1组第一开孔位于所述第N个器件外围，从所述第N个基板远离所述第N-1个基板的一侧开设并贯穿所述第N个基板以分别暴露所述第N-1个器件和第N-1个基板上开设的N-2组第一开孔； 在所述第N个基板上的所述N-1组第一开孔中填充导电材料形成导电插塞； 其中，2≤N≤M，且N、M为整数。
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