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龙图腾网获悉中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利硅基砷化镓外延结构、激光器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938916B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211627136.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权硅基砷化镓外延结构、激光器及制备方法是由田宇;陈龙设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅基砷化镓外延结构、激光器及制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种硅基砷化镓外延结构的制备方法、硅基砷化镓外延结构、激光器的制备方法以及激光器，其中，方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上外延生长成核层，成核层的材料包括第一半导体材料；在成核层上外延生长第一过渡层，第一过渡层的材料包括第二半导体材料；第一半导体材料和第二半导体材料均为磷化镓基半导体材料，第一半导体材料的晶格常数介于硅和第二半导体材料之间，第二半导体材料的晶格常数介于第一半导体材料和砷化镓之间；在第一过渡层上外延生长第二过渡层，第二过渡层的材料包括第三半导体材料；在第二过渡层上外延生长砷化镓层；第三半导体材料的带隙介于第二半导体材料和砷化镓之间。

本发明授权硅基砷化镓外延结构、激光器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基砷化镓外延结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供硅衬底； 在所述硅衬底上外延生长成核层，所述成核层的材料包括第一半导体材料； 在所述成核层上外延生长第一过渡层，所述第一过渡层的材料包括第二半导体材料； 其中，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料均为磷化镓基半导体材料，所述第一半导体材料的晶格常数介于硅的晶格常数和所述第二半导体材料的晶格常数之间，所述第二半导体材料的晶格常数介于所述第一半导体材料的晶格常数和砷化镓的晶格常数之间，沿远离所述硅衬底的方向，所述第一过渡层的材料的晶格常数逐渐向砷化镓的晶格常数过渡； 在所述第一过渡层上外延生长第二过渡层，所述第二过渡层的材料包括第三半导体材料； 在所述第二过渡层上外延生长砷化镓层； 其中，所述第三半导体材料的带隙介于所述第二半导体材料的带隙和砷化镓的带隙之间，所述第二过渡层的材料的晶格常数与砷化镓的晶格常数相等，沿远离所述硅衬底的方向，所述第二过渡层的材料的带隙逐渐向砷化镓的带隙过渡。

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