长鑫存储技术有限公司黄猛获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211477231.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器是由黄猛设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，该方法包括：提供衬底，衬底中形成有至少一个电容柱，且至少一个电容柱贯穿至少一个电容支撑结构；于电容柱和电容支撑结构的表面形成导电层；对电容支撑结构和导电层进行热处理，在电容支撑结构的表面形成电容隔离结构，电容隔离结构用于绝缘隔离至少一个电容柱。这样，通过热处理在电容支撑结构的表面形成电容隔离结构，阻断导电层对电容柱的连接，实现对电容柱的绝缘隔离，本方案不仅工艺过程简单，而且成本较低。
本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底，所述衬底中形成有至少一个电容柱，且所述至少一个电容柱贯穿至少一个电容支撑结构； 于所述电容柱和所述电容支撑结构的表面形成导电层； 对所述电容支撑结构和所述导电层进行热处理，在所述电容支撑结构的表面形成电容隔离结构，所述电容隔离结构用于绝缘隔离所述至少一个电容柱。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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