长鑫存储技术有限公司邵光速获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211440588.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法是由邵光速设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：第一半导体柱，包括沿竖直方向由下至上依次设置的第一源极区、第一沟道区和第一漏极区，所述第一源极区与第一位线连接，所述第一沟道区与第一字线耦接；第二半导体柱，与所述第一半导体柱沿第一方向并列排布，所述第二半导体柱包括沿第二方向依次设置的第二源极区、第二沟道区和第二漏极区，所述第一方向和所述第二方向相交且均垂直于所述竖直方向；所述第二源极区与第二位线连接，所述第二漏极区与第二字线连接；存储线，沿第一方向延伸，所述存储线连接所述第一漏极区的顶部且与所述第二沟道区耦接。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一半导体柱，包括沿竖直方向由下至上依次设置的第一源极区、第一沟道区和第一漏极区，所述第一源极区与第一位线连接，所述第一沟道区与第一字线耦接； 第二半导体柱，与所述第一半导体柱沿第一方向并列排布，所述第二半导体柱包括沿第二方向依次设置的第二源极区、第二沟道区和第二漏极区，所述第一方向和所述第二方向相交且均垂直于所述竖直方向；所述第二源极区与第二位线连接，所述第二漏极区与第二字线连接； 存储线，沿所述第一方向延伸，所述存储线连接所述第一漏极区且与所述第二沟道区耦接。
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