长鑫存储技术有限公司储嘉虹获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915753B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211428624.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由储嘉虹设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成导电层，在形成导电层的过程中混入了微尘杂质颗粒，使得导电层的上表面包括第一凸起和其他平坦区域，第一凸起在衬底上的投影与微尘杂质颗粒在衬底上的投影至少部分重合；形成覆盖导电层的第一绝缘层，第一绝缘层的厚度不大于第一凸起相对于其他平坦区域的高度差；在第一绝缘层上形成第二绝缘层；去除第二绝缘层，包括：对第二绝缘层执行刻蚀工艺以暴露第一绝缘层，且第一绝缘层至少还覆盖第一凸起；其中，第二绝缘层的刻蚀速率大于第一绝缘层的刻蚀速率；采用清洗液执行清洗工艺，以去除在去除第二绝缘层的过程中产生的刻蚀残留物或副产物。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成导电层，在形成所述导电层的过程中混入了微尘杂质颗粒，使得所述导电层的上表面包括第一凸起和其他平坦区域，所述第一凸起在所述衬底上的投影与所述微尘杂质颗粒在所述衬底上的投影至少部分重合； 在所述导电层上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述导电层的上表面，所述第一绝缘层的厚度不大于所述第一凸起相对于所述其他平坦区域的高度差； 在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层； 去除所述第二绝缘层，包括：对所述第二绝缘层执行刻蚀工艺以暴露所述第一绝缘层，且所述第一绝缘层至少还覆盖所述第一凸起；其中，所述第二绝缘层的刻蚀速率大于所述第一绝缘层的刻蚀速率； 采用清洗液执行清洗工艺，以去除在去除所述第二绝缘层的过程中产生的刻蚀残留物或副产物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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