中国科学院光电技术研究所罗先刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利一种浸没式超分辨光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115857285B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211702747.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种浸没式超分辨光刻方法是由罗先刚;罗云飞;刘凯鹏;赵泽宇;高平;王长涛设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种浸没式超分辨光刻方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种浸没式超分辨光刻方法，包括：在基底上制备依次叠设的反射金属层、感光层及表层金属层；选择包括图形区和非图形区的光刻掩模版，光刻掩模版的非图形区形成有导液槽；将光刻掩模版置于表层金属层上方，在表层金属层与光刻掩模版之间填充浸没液体，调节光刻掩模版与表层金属层之间的间隙距离至预定间隙范围内，其中，多余的浸没液体通过导液槽导出；基于光刻掩模版对感光层进行超分辨光刻，显影得到超分辨光刻图形结构。该浸没式超分辨光刻方法通过在光刻掩模版与成像结构之间引入浸没液体，能够提高光刻掩模版与成像结构之间传输介质的折射率，进而能够提高光刻图形的对比度和分辨率。
本发明授权一种浸没式超分辨光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种浸没式超分辨光刻方法，其特征在于，包括： 在基底上制备依次叠设的反射金属层、感光层及表层金属层； 选择包括图形区和非图形区的光刻掩模版，所述光刻掩模版的非图形区形成有导液槽； 将所述光刻掩模版置于所述表层金属层上方，在所述表层金属层与所述光刻掩模版之间填充浸没液体，调节所述光刻掩模版与所述表层金属层之间的间隙距离至预定间隙范围内，其中，多余的浸没液体通过所述导液槽导出； 基于所述光刻掩模版对所述感光层进行超分辨光刻，显影得到超分辨光刻图形结构。
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